Rimma Zhytnytska
Angestellt, Experte für Aufbau- und Verbindungstechnologien, HELLA Konzern
Berlin, Deutschland
Werdegang
Berufserfahrung von Rimma Zhytnytska
7 Jahre und 2 Monate, Mai 2009 - Juni 2016
Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Design, Entwicklung und Herstellung von AlGaN/GaN HEMTs für Leistungselektronikanwendungen
2 Monate, Nov. 2013 - Dez. 2013
Gastwissenschaftler
NCTU Chiao-Tung-Nationaluniversität, Hsinchu, Taiwan
Entwicklung der Cu-Galvanik-Technologie für AlGaN/GaN HEMTs
1 Jahr und 6 Monate, Nov. 2007 - Apr. 2009
Werkstudentin
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Entwicklung der Flip-Chip-Technologie für AlGaN/GaN HEMTs in der Raumfahrtanwendung
Verschiedene Tätigkeiten im Bereich der Entwicklung der Aufbau- und Verbindungstechnologie für Halbleiterbauelemente
Ausbildung von Rimma Zhytnytska
Bis heute 14 Jahre und 9 Monate, seit Okt. 2009
Elektrotechnik
TU Berlin
Thema: „Designkonzepte für Leistungstransistoren für hohe Durchbruchspannungen und niedrigen on-state Widerstand“
2 Jahre und 1 Monat, Apr. 2007 - Apr. 2009
Elektrotechnik
TU Berlin
Mikrosystemtechnik
5 Jahre und 6 Monate, Okt. 2001 - März 2007
Elektronische Geräte- und Mikrosystemtechnik
Beuth Hochschule für Technik Berlin
Sprachen
Deutsch
Fließend
Englisch
Fließend
Russisch
Muttersprache
Spanisch
Grundlagen
Hebräisch
Grundlagen