Dr. Radosław Zwierz

Angestellt, Wissenschaftlicher Mitarbeiter, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

Berlin, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

analytischer Verstand
public speaking
III-V Halbleitertechnologie
GaN
effektive Teamarbeit
REM (Rasterelektronenmikroskopie)
MS-Office
Comsol Multiphysics 4.3
Origin Lab
HepiGaNS
Fact Sage
LabVIEW
LaTeX
UMTS-Technologie
Angewandte Physik
Naturwissenschaften
InP
FTIR-Spektroskopie
Prozessoptimierung
Prozessentwicklung
GaAs
Semiconductors
Semiconductor Reaktoren
Semiconductor Physics
Epitaxie

Werdegang

Berufserfahrung von Radosław Zwierz

  • Bis heute 8 Jahre und 5 Monate, seit Feb. 2016

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

    Entwicklung einer neuen Epitaxie-Variante (Pseudo-Halide CVD) zum Wachstum von kohlenstoffdotierten, einkristallinen GaN-Schichten. - Entwicklung, Service und Wartung der Züchtungsanlage
 - Prozessentwicklung 
 - DOE 
- Koordination der Arbeitsabläufen im Labor
 - Charakterisierung den GaN-Schichten 
 (REM, EDX, AFM, FTIR, Profilometer)
 - Organisation von Messungen 
 (SIMS, XRD, PL, CL, Raman, Hall-Messungen)
 - Datenauswertung
 - Projektkoordination

  • Bis heute 10 Jahre und 1 Monat, seit Juni 2014

    Berater des Vorstandes

    Stiftung Polska Innowacyjna

    - Unterstützung bei der Zielsetzung und Strategieentwicklung der Stiftung
 - Koordination den Konferenzen INNOSHARE 2015 und INNOSHARE 2016 “Kooperation zwischen Wirtschaft und Wissenschaft in Polen”, jeweils für ca. 100 Teilnehmer 
- Inhaltliche Vorbereitung des Konferenzprogramms
 - Moderation der Konferenz

  • 9 Monate, Mai 2015 - Jan. 2016

    Vertriebsingenieur

    Philips Polska Sp. z o. o.

    - Konzeption und Durchführung von Schulungen im Bereich Medizintechnik
- Kundengewinnung
- Pflege von Kundenkontakten
- Entwicklung der Marketingstrategie für medizinische Geräte
- Produktvermarktung

  • 3 Jahre und 9 Monate, Okt. 2010 - Juni 2014

    Doktorand / Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Leibniz-Institut für Kristallzüchtung

    Entwicklung einer neuen Mikrowellen-Plasma gestützte Methode zur Epitaxie von einkristallinen GaN-Schichten. - Entwicklung, Wartung und Service der Züchtungsanlage
 - Prozessentwicklung 
- DOE 
- Charakterisierung den GaN-Schichten 
 (REM, EDX, FTIR, Optische Spektrometrie)
 - Organisation von Messungen (XRD, PL, Raman)
 - Veröffentlichung der Forschungsergebnisse
 - Kontaktaufnahme mit Projektpartner für eine langfristige Zusammenarbeit

  • 1 Jahr und 1 Monat, Okt. 2009 - Okt. 2010

    Software Integration Engineer

    Nokia Networks

    -­ Testen von Software auf den Basistationen 
 im Bereich des Mobilfunks (UMTS)
 -­ Durchführung von den Integrationstests
 -­ Kundenorientierte, schnelle Problemlösung
 -­ Durchführung von Schulungen für die chinesischen Mitarbeiter

  • 5 Monate, Apr. 2008 - Aug. 2008

    Praktikant

    Technische Universität Breslau

    - Herstellung der mikroelektronischen Modulen
 - verwendete Technologie: LTCC - Niedertemperatur-Einbrand-Keramiken 
- Durchführung von den elektrischen Testen der mikroelektronischen Modulen

Ausbildung von Radosław Zwierz

  • 3 Jahre und 6 Monate, Apr. 2011 - Sep. 2014

    Physik

    Brandenburgische Technische Universität

    Experimentelle Physik, Halbleitertechnologie, Materialwissenschaften, Kristallzüchtung

  • 10 Monate, Sep. 2008 - Juni 2009

    Elektronik & Telekommunikation

    Universität Oulu

    Master-Thesis auf Englisch, Mikroelektronik, LTCC-Technologie

  • 4 Jahre und 10 Monate, Okt. 2004 - Juli 2009

    Elektronik & Telekommunikation

    Technische Universität Breslau

    Fakultät für Mikrosysteme und Photonik Spezialisierung auf Optoelektronik und Lichtwellenleitertechnologie

Sprachen

  • Deutsch

    Gut

  • Englisch

    Fließend

  • Polnisch

    Muttersprache

Interessen

Bergwandern
Laufsport
Fußball
Reportage

21 Mio. XING Mitglieder, von A bis Z