Rebeccah Grotemeyer-Bagnall
Angestellt, Forschungs- und Entwicklungsingenieur, Infineon Technologies
Abschluss: MSc Physik, Universität Paderborn
Warstein, Deutschland
Werdegang
Berufserfahrung von Rebeccah Grotemeyer-Bagnall
Bis heute 1 Jahr und 10 Monate, seit Sep. 2022
Forschungs- und Entwicklungsingenieur
Infineon TechnologiesEntwicklungsingenieurin elektrische Entwicklung Leistungshalbleitermodule
1 Jahr und 9 Monate, Apr. 2018 - Dez. 2019
Projektingenieurin Akustik/ New Buisness Developer
Schüco International KG6 Monate, Feb. 2018 - Juli 2018
Lehrerin
Königin-Mathilde-Gymnasium
Als Lehrkraft für Physik in der Jgs. 6 und 7 habe ich den Unterricht entsprechenden eigenständig vorbereitet und Berücksichtung der vorliegenden Lehrplans und Integration von Praxisbezug für die Schüler. Dies hat auch das schriftliche Abfragen der Leistungen in Testaten beinhaltet, sowie die Benotung der erbrachten mündlichen, experimentellen und schriftlichen Leistungen.
Leiten einer Übungsgruppe: -Erstellen von Übungsaufgaben -Diskussion und Besprechung von Lösungen -Mithilfe bei der Klausurkorrektur
Ausführen unterschiedlicher Tätigkeiten im Labor: -Hartmasken Fertigung mittels PECVD -Auftragen von Fotolacken -Nano- und Mikrostrukturierung von Siliziumcarbid mit opotischer Lithographie und Elektronenstrahllithographie -Reaktives Ionenätzen von AlN und SiO2 -Charakterisierung strukturierter Oberflächen mit Rasterkraftmikroskopie (AFM), konfokaler Lasermikroskopie, Fotolumineszenz und Hochauflösender Röntgendiffraktometrie (HRXRD)
Laborarbeitskraft: -Charakterisieren von Proben mit eindiffundierten Wellenleitern -Aufbau eines faseroptische integriertem Netzwerkes für einen Quanten Walk
Betreuen von Laborübungen: -Anleiten von Studierenden zum wissenschaftlichen Arbeiten -Einschätzen und Bewerten studentischer Leistung während des experimentierens -Korrektur und Bewertung schriftlicher Ausarbeitungen
Ausbildung von Rebeccah Grotemeyer-Bagnall
2 Jahre und 2 Monate, Okt. 2015 - Nov. 2017
Physik
Universität Paderborn
Optoelektronische Halbleiterbauelemente, Halbleiterepitaxie. Masterarbeit Arbeitstitel: Cubic GaN on nano-grooved 3C-SiC/Si(100). Ziel: Erhöhte Effizienz blauer LEDs; Ätzen von 3C-SiC mit 45° Facetten.
3 Jahre, Okt. 2012 - Sep. 2015
Physik
Universität Paderborn
Halbleiterphysik, Angewandte Optik. Bachelorarbeit: Comparison of classically excited modes and modes excited through parametric down-conversion
Sprachen
Englisch
Muttersprache
Deutsch
Muttersprache
Französisch
Gut