Dr. Sergej Mutas
Angestellt, Senior Project Manager Power Devices, Infineon Technologies
Weissenburg, Deutschland
Werdegang
Berufserfahrung von Sergej Mutas
Material analysis using Atom Probe Tomography. Sample preparation in Focused Ion Beam. Comparison of the results using Secondary Ion Mass Spectrometry and Transmission Electron Microscopy.
1 Jahr und 7 Monate, März 2011 - Sep. 2012
Senior Engineer at Technology & Integration
GLOBALFOUNDRIES Inc.
Senior Ingenieur im Spacer-Modul, Modulleiter. Entwicklung und Optimierung der zukünftigen Technologien (32 nm und kleiner).
3 Jahre und 5 Monate, Okt. 2007 - Feb. 2011
Doktorand
Fraunhofer CNT, Kooperation mit Globalfoundries (ehemals AMD)
Doktorand
2 Jahre und 7 Monate, März 2005 - Sep. 2007
Werkstudent
Nanoplus GmbH in Gerbrunn
Programmieren in LabVIEW, Aufbau von automatischen Messplätzen.
Ausbildung von Sergej Mutas
5 Jahre und 2 Monate, Sep. 2002 - Okt. 2007
Nanostrukturtechnik
Universität Würzburg
Halbleitertechnologie, Mikroelektronik, Halbleiter, Nanoanalytik, Festkörperphysik, Energietechnik, Analytik
Sprachen
Deutsch
-
Russisch
Muttersprache
Englisch
Fließend
Französisch
Grundlagen