erdi kusdemir

• Herstellung von Heterostrukturen für optoelektronische Bauelemente aus (AlInGa)(AsP). • Entwicklung und Umsetzung neuer wissenschaftlicher Theorien zur Verbesserung der internen Produktionsmethoden für optische III-V-Komponenten. • Einrichtung und Wartung neuer Anlagen für Halbleiterproduktionslinien. • Beachtung der Funktionsweise von Fertigungslinien; Ermittlung und Bereitstellung von Lösungen zur Steigerung der Produktivität. • Terminplanung und Ressourcenkoordination für eine der Produktionslinien.

Projekt: Short period superlattices (SPSL) for rational (Ga,In)N grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) (EU Horizon 2020 research program). • Sorgfältige Durchführung, Auswertung und Protokollierung der Experimente. • Wartung und Betrieb der plasmaunterstützten Molekularstrahlepitaxieanlage (PAMBE). • Verwendung von MATLAB, C++ und Arduino zur Programmierung und Erstellung neuer Software und Hardware. • Präsentation der Ergebnisse auf Konferenzen und internationalen Projekttreffen.

Projekt: Epitaktisches Graphen-Nanoband-Netzwerkwachstum unter Ultrahochvakuum (UHV). • Erstellung der Hardware- und Software-Grundlage für die Laborausrüstung. • Organisation und Leitung des Teams von studentischen Forschern. • Durchführung, Analyse und Berichterstattung über die Experimente.

In der Promotion wurden die komplexen Mechanismen für den Einbau von Mg und In in (Ga,In)N/GaN(0001)-Heterostrukturen, die mittels plasmaunterstützter Molekularstrahl-epitaxie (PAMBE) hergestellt wurden, mit morphologischen, optischen und elektrischen Charakterisierungsmethoden untersucht.

Titel der Arbeit: Entwicklung epitaktischer Graphenelektroden für optoelektronische Bauelemente auf Siliziumkarbidbasis. (Festkörperelektronik)

Nebenfach Elektronik und Nachrichtentechnik