Das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) ist eine anwendungsorientierte Forschungseinrichtung auf den Gebieten der Hochfrequenzelektronik, Photonik und Quantenphysik. Das FBH erforscht elektronische und optische Komponenten, Module und Systeme auf der Basis von Verbindungshalbleitern. Diese sind Schlüsselbausteine für Innovationen in den gesellschaftlichen Bedarfsfeldern Kommunikation, Energie, Gesundheit und Mobilität. Es verfügt über die gesamte Wert-schöpfungskette vom Design bis zu lieferfertigen Systemen.

• Mitarbeit an der Entwicklung und Optimierung der Zweischritt-Epitaxie zur Herstellung von vergrabenen (Al)GaN-Gittern für DFB-Laserdioden
• Planung und Durchführung von Epitaxieprozessen mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE)
• Charakterisierung der hergestellten Schichten, u. a. mit: Rasterkraftmikroskopie, Röntgendiffraktometrie, Photolumineszenzspektroskopie
• Auswertung der Materialeigenschaften zur Ableitung von Optimierungsstrategien für die DFB-Integration
• Einbindung der Ergebnisse in Realisierung von Laserdioden mit integrierten vergrabenen Gittern

• Laufendes Masterstudium der Physik, Elektrotechnik, Photonik, Physikalischen Technik oder vergleichbarer Studienrichtungen
• Vorkenntnisse in Optoelektronik, Messtechnik und Angewandter Physik
• Interesse an experimenteller Forschung und Halbleitermaterialien
• Startdatum: frühestmöglich

• ein offenes und wertschätzendes Team, das Ihnen stets mit Rat und Tat zur Seite steht
• einen modernen Arbeitsplatz in Berlin Adlershof mit guter Anbindung an den ÖPNV
• spannende Einblicke in die Praxis und die Möglichkeit, wertvolle Erfahrungen zu sammeln

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Falls Sie noch Fragen zur Bewerbung haben, wenden Sie sich bitte an Dr. Johannes Enslin, Tel.: 030 6392-58327, E-Mail: johannes.enslin@fbh-berlin.de & Prof. Dr. Markus Weyers, Tel.: 030 6392-2670, E-Mail: markus.weyers@fbh-berlin.de