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Über GlobalFoundries

Promotion über BEoL Lösungen für RF Produkte der nächsten Generation: Charakterisierung und Optimierung von elektrolytisch abgeschiedenem, stressarmem Kupfer für ultradicke Umverdrahtungsebene

Das GlobalFoundries Ph.D. Programm eröffnet Doktoranden die einmalige Möglichkeit, die Integration von leading-edge Halbleitern mitzugestalten. Die Arbeit setzt auf einer bereits existierenden Integration mit ultradickem Kupfer auf, mit welchem signifikante Prozessprobleme aufgrund von Eigenspannungen im Kuper und deren Abhängigkeit vom Chipdesign adressiert werden sollen.

Diese Position ist auf 3 Jahre ausgelegt. Für diese Arbeit suchen wir einen wissenschaftlichen Mitarbeiter, der im Verbundprojekt sowohl eine koordinative Rolle übernehmen möchte als auch seine Forschungsarbeit an Fragestellungen der Massenfertigung ausrichtet. Dabei unterstützen Sie das Team bei der Experimentplanung und der Koordination der Fertigung der Wafer, insbesondere der Kupferabscheidung mit verschiedenen Elektrolyten und Abscheidebedingungen. Desweiteren wird die Charakterisierung der prozessierten Kupferverdrahtungsebenen von Ihnen selbstständig organisiert und koordiniert. Hierbei kann auf vorhandene Infrastruktur (hochauflösende Röntgendiffraktometrie, leading edge Transmissionselektronenmikroskopie, Nanoindentation u.a.) und Expertise zurückgegriffen werden, teilweise sollen Messungen extern erfolgen. Die Methodik und die Kombination der verschiedenen Analyseverfahren soll weiterentwickelt werden, um den Kupferabscheideprozess und die nachfolgenden Rekristallisationsprozesse und damit die mechanischen Eigenschaften des BEoL Schichtstapels zu optimieren. Die Ergebnisse werden von Ihnen systematisch dokumentiert und im Rahmen regelmäßiger Berichterstattung zusammengefasst. GF unterstützt die Veröffentlichung wissenschaftlicher Ergebnisse in führenden Fachzeitschriften und den Schutz des geistigen Eigentums durch die Einreichung von Patenten.

Erforderliche Qualifikationen

• Sie haben Elektrotechnik mit Schwerpunkt Mikrotechnologie, Werkstoffwissenschaft, Physik oder ein vergleichbares Studium absolviert oder sind kurz vor dem Abschluss,

• Sie besitzen grundlegende Kenntnisse auf dem Gebiet der Halbleiterbauelemente und deren Funktionsweise,

• Kenntnisse der Halbleitertechnologie, sowie Halbleiterfertigung sind von Vorteil,

• Idealerweise haben Sie solide Kenntnisse in der Finiten Elemente Simulation von Verformungsprozessen

• Sie haben Erfahrung im Bereich der elektrolytischen Abscheidung und Charakterisierung von dünnen Metallschichten

• Ein sicherer Umgang mit Office Programmen zur Textverarbeitung und Präsentation werden vorausgesetzt,

• Sie verfügen über ein hohes Maß an Selbstständigkeit und zeitliche Flexibilität für die Kommunikation mit den globalen Teams,

• Sie sind kommunikativ und arbeiten gerne im Team,

• Gute Englischkenntnisse in Wort und Schrift runden Ihr Profil ab.

Zeitraum

• Ab sofort für 3 Jahre befristet.

Bewerbung

• Anschreiben

• Lebenslauf

• Aktuelle Immatrikulationsbescheinigung

• Aktuelle Notenübersicht

• Abschlusszeugnis

• Arbeitszeugnisse

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About GF

GlobalFoundries (GF) is a leading manufacturer of semiconductors that the world relies on to live, work and connect. We innovate and collaborate with our customers to develop more energy-efficient and higher-performance products for the automotive industry, smart mobile devices, the Internet of Things (IoT), communications infrastructure and other high-growth markets.

With our global manufacturing network spanning the US, Europe and Asia, we are a trusted and reliable source for customers around the world. Every day, our talented and diverse team delivers results with a relentless focus on safety, durability and sustainability. GF employs around 13,000 people worldwide, including 3,000 in Dresden.

PhD on BEoL Solutions for RF Products of the next generation: Integration of low stress Copper into ultra-thick BEoL Redistribution Layers

The GlobalFoundries Ph.D. program provides Ph.D. students with a unique opportunity to help shape the integration of BEoL features into leading-edge logic semiconductors. The task is starting with an existing integration scheme with certain process challenges due to residual stresses in Copper and their dependence on the chip design.

The contract for this position is setup for 3 years with a possibility to extend by one additional year, if required. We are looking for a research associate who would like to take a coordinating role in a joint project with other partners from academia and industry as well as in aligning his or her research work to the requirements of later mass production. You will support the team by coordinating the planning of experiments and co-ordination of waferprocessing, with special focus on the electrolytic copper deposition with different electrolytes and deposition conditions. You will organize and coordinate and partially carry out the characterizaton of the deposited films as well as integrated layers independently. For this purpose, existing infrastructure (e.g. highly resolved X-Ray Diffraction, leading-edge Transmission Electron Microscopy, Nanoindentation) and expertise will be used, partially measurements have to be done outside of GF. The methodology and combination of the different material analysis methods should be developed further to enable the optimization of the plating and annealing processes to get an optimized mechanical performance of the BEoL layer stack. You will systematically document and present the results in regular reports. GF supports the publication of scientific results in leading journals and the protection of intellectual property by the submission of patents.

Required Qualifications

• You have completed or are finalizing your Master Thesis electrical engineering, materials sciences, physics or a comparable research and are currently still enrolled as a student at a college or university,

• You have basic knowledge in the field of semiconductor devices and their functionality,

• Ideally you have solid Knowledge in Finite Element Simulation of deformation processes

• You have some experience in the area of galvanic deposition of thin films and characterisation of such layers

• You know how to use office programs for word processing and presentation,

• You have a high degree of independence and time flexibility for communication with global teams,

• You are communicative and enjoy working in a team,

• A good command of written and spoken English completes your profile.

Please apply with your complete documents and indicate your possible start date.

• Cover letter

• Curriculum vitae

• Current enrollment certificate

• Current overview of grades

• Degree certificate

• Work references