Dr. Juliano Razafindramora

Praktikum

Dresden, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

9 Jahre Erfahrung im Bereich Halbleitertechnologie
Flash
DRAM
elektrische Charakterisierung und Modellierung
Analyse der Zuverlässigkeit. Vorträge im internati
Halbleiter
Elektronik
Physik
CMOS
Device
Reliability
IT
projektleiter
organisiert
zuverlässig

Werdegang

Berufserfahrung von Juliano Razafindramora

  • Bis heute

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  • 4 Jahre und 10 Monate, März 2011 - Dez. 2015

    Principal Technology Development Engineer

    Globalfoundries Dresden

    Technology Owner of High Performance Products (Microprocessors)

  • 1 Jahr und 4 Monate, Nov. 2009 - Feb. 2011

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Odersun AG

    Verantwortlich fuer die elektrische Charakterisierung und die Simulation von Solarzellen in Kupfer-Indium-Disulfid Technologie.

  • 1 Jahr und 6 Monate, Okt. 2007 - März 2009

    Prozessintegration Ingenieur

    Qimonda GmbH

    Leitung der Integration von Support Devices bei der "Qimonda 4F2 Buried Wordline Technologie": Prozessoptimierung zur Erreichung der gezielten elektrischen Leistungen. Evaluierung neuer Messmethoden des Schichtwiderstandes von Ultra-Shallow Junctions (PN Übergänge). Entwicklung neuer Dotierungsstrategien zur Leistungsverbesserung in CMOS Transistoren

  • 3 Monate, Juli 2007 - Sep. 2007

    Ingenieur

    Centre National de la Recherche Scientifique, Toulon, Frankreich

    Elektrische Charakterisierung von RRAM Nichtflüchtigen Speicherzellen.

  • 1 Jahr und 7 Monate, Nov. 2005 - Mai 2007

    Postdoctoral Fellow

    LETI (Laboratoire des Technologies de L'information)

    Leitung der Integration von Flash Speichern mit Silizium Nanokristallen als Speicher und FinFET Architektur Charakterisierung der elektrischen Leistungen, Zuverlässigkeit (Retention, Endurance) Koordination der Prozessintegration: Sammlung von technischen Daten aus europäischen Projektpartnern Publikationen in 6 internationalen Konferenzen

  • 3 Jahre und 3 Monate, Okt. 2001 - Dez. 2004

    Doktorand

    Laboratoire Matériaux et Microélectronique de Provence & ST-Micro Rousset

    Modellierung und elektrische Charakterisierung von MOS Transistoren. Verbesserung der Zuverlässigkeit von EEPROM (Flashlike) Speicherchips. Publikationen in internationalen Konferenzen.

  • 7 Monate, März 2001 - Sep. 2001

    Praktikant

    Laboratoire Matériaux et Microélectronique de Provence & ST-Micro Rousset

    Elektrische Charakterisierung von MOS-Transistoren.

  • Staff Engineer Quality

    Inova Semiconductors GmbH

    Zuständig für die Produktion, Qualifikation aller Produkte von INOVA, Qualitätssicherung, Betreeung Kundenretoure und Audits.

Ausbildung von Juliano Razafindramora

  • 3 Jahre und 4 Monate, Sep. 2001 - Dez. 2004

    Physik, Mikro und Nanoelektronik

    Universität Aix-Marseille 1

    Modellierung und Charakterisierung von MOS-Transistoren: Applikation zur Verbesserung der Zuverlässigkeit von EEPROM Speichern (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memories)

  • 1 Jahr und 2 Monate, Okt. 2000 - Nov. 2001

    Physik, Komplexe Systeme, Mikro und Nanoelektronik

    Universität Aix-Marseille 1

    Halbleiterphysik. Integrierte Schaltungen: Herstellung, CMOS Prozesse. Digital-Elektronik, Mikroprozessoren

  • 3 Jahre und 1 Monat, Sep. 1998 - Sep. 2001

    Physik, Ingenieurwissenschaft

    Ecole Centrale Marseille

    Elektronik, Optoelektronik ,Signalverarbeitung

  • 2 Jahre und 10 Monate, Sep. 1995 - Juni 1998

    Mathematik, Physik, Chemie

    Lycée Lapérouse, Albi, Frankreich

    Vorbereitung zu französischen Ingenieurhochschulen (Ecoles d'Ingénieurs)

  • 11 Monate, Sep. 1994 - Juli 1995

    Naturwissenschaft

    Lycée Français de Tamatave

Sprachen

  • Deutsch

    Fließend

  • Englisch

    Fließend

  • Französisch

    Fließend

  • Italienisch

    Gut

  • Madegassisch als Muttersprache

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Interessen

Joggen (regelmässige Teilnahme an 10km
Halbmarathon Läufen)
Kino
südamerikanisches Tanzen (Salsa)

21 Mio. XING Mitglieder, von A bis Z