Dr. Juliano Razafindramora

Praktikum
Dresden, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

9 Jahre Erfahrung im Bereich Halbleitertechnologie
Flash
DRAM
elektrische Charakterisierung und Modellierung
Analyse der Zuverlässigkeit. Vorträge im internati
Halbleiter
Elektronik
Physik
CMOS
Device
Reliability
IT
projektleiter
organisiert
zuverlässig

Werdegang

Berufserfahrung von Juliano Razafindramora

  • Current

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  • 4 years and 10 months, Mar 2011 - Dec 2015

    Principal Technology Development Engineer

    Globalfoundries Dresden

    Technology Owner of High Performance Products (Microprocessors)

  • 1 year and 4 months, Nov 2009 - Feb 2011

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Odersun AG

    Verantwortlich fuer die elektrische Charakterisierung und die Simulation von Solarzellen in Kupfer-Indium-Disulfid Technologie.

  • 1 year and 6 months, Oct 2007 - Mar 2009

    Prozessintegration Ingenieur

    Qimonda GmbH

    Leitung der Integration von Support Devices bei der "Qimonda 4F2 Buried Wordline Technologie": Prozessoptimierung zur Erreichung der gezielten elektrischen Leistungen. Evaluierung neuer Messmethoden des Schichtwiderstandes von Ultra-Shallow Junctions (PN Übergänge). Entwicklung neuer Dotierungsstrategien zur Leistungsverbesserung in CMOS Transistoren

  • 3 months, Jul 2007 - Sep 2007

    Ingenieur

    Centre National de la Recherche Scientifique, Toulon, Frankreich

    Elektrische Charakterisierung von RRAM Nichtflüchtigen Speicherzellen.

  • 1 year and 7 months, Nov 2005 - May 2007

    Postdoctoral Fellow

    LETI (Laboratoire des Technologies de L'information)

    Leitung der Integration von Flash Speichern mit Silizium Nanokristallen als Speicher und FinFET Architektur Charakterisierung der elektrischen Leistungen, Zuverlässigkeit (Retention, Endurance) Koordination der Prozessintegration: Sammlung von technischen Daten aus europäischen Projektpartnern Publikationen in 6 internationalen Konferenzen

  • 3 years and 3 months, Oct 2001 - Dec 2004

    Doktorand

    Laboratoire Matériaux et Microélectronique de Provence & ST-Micro Rousset

    Modellierung und elektrische Charakterisierung von MOS Transistoren. Verbesserung der Zuverlässigkeit von EEPROM (Flashlike) Speicherchips. Publikationen in internationalen Konferenzen.

  • 7 months, Mar 2001 - Sep 2001

    Praktikant

    Laboratoire Matériaux et Microélectronique de Provence & ST-Micro Rousset

    Elektrische Charakterisierung von MOS-Transistoren.

  • Staff Engineer Quality

    Inova Semiconductors GmbH

    Zuständig für die Produktion, Qualifikation aller Produkte von INOVA, Qualitätssicherung, Betreeung Kundenretoure und Audits.

Ausbildung von Juliano Razafindramora

  • 3 years and 4 months, Sep 2001 - Dec 2004

    Physik, Mikro und Nanoelektronik

    Universität Aix-Marseille 1

    Modellierung und Charakterisierung von MOS-Transistoren: Applikation zur Verbesserung der Zuverlässigkeit von EEPROM Speichern (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memories)

  • 1 year and 2 months, Oct 2000 - Nov 2001

    Physik, Komplexe Systeme, Mikro und Nanoelektronik

    Universität Aix-Marseille 1

    Halbleiterphysik. Integrierte Schaltungen: Herstellung, CMOS Prozesse. Digital-Elektronik, Mikroprozessoren

  • 3 years and 1 month, Sep 1998 - Sep 2001

    Physik, Ingenieurwissenschaft

    Ecole Centrale Marseille

    Elektronik, Optoelektronik ,Signalverarbeitung

  • 2 years and 10 months, Sep 1995 - Jun 1998

    Mathematik, Physik, Chemie

    Lycée Lapérouse, Albi, Frankreich

    Vorbereitung zu französischen Ingenieurhochschulen (Ecoles d'Ingénieurs)

  • 11 months, Sep 1994 - Jul 1995

    Naturwissenschaft

    Lycée Français de Tamatave

Sprachen

  • German

    C1 (Fließend)

  • English

    C1 (Fließend)

  • French

    C1 (Fließend)

  • Italian

    B1-B2 (Gute Kenntnisse)

  • Madegassisch als Muttersprache

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