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Dr. Karl-Heinz Goetz

Bis 2015, Abteilungsleiter Qualitätsmanagement Labor, Gigaset AG (vormals Siemens)
Bocholt, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

Laborleitung (Umwelterprobung - Übertragungstechni
Mitarbeiterführung
Umwelterprobung
Qualitätsmanagement
ISO 9001
ISO 17025
Qualitätssicherungshandbuch
Audits
Qualitätssicherungsvereinbarungen
QM Verfahrensanweisungen
statistische Methoden ( Six Sigma Black Belt)
Werkstoffprüfung
Strahlenschutz
Schadstoffe in Produkten (RoHS - REACH - POP - ...
RoHS Screening mittels Röntgenfluoreszenz
Photolumineszenzspektroskopie
Ramanspektroskopie
technologische Ausfallanalyse

Werdegang

Berufserfahrung von Karl-Heinz Goetz

  • 30 Jahre und 1 Monat, Apr. 1985 - Apr. 2015

    Abteilungsleiter Qualitätsmanagement Labor

    Gigaset AG (vormals Siemens)

  • 11 Jahre und 3 Monate, Jan. 2004 - März 2015

    Leiter Qualitätslabore

    Gigaset Communications GmbH

    Leitung der im Qualitätsmanagement angesiedelten Labore für Umwelterprobung, Übertragungstechnik / Akustik, EMV, Produktaudits, Retourenanalyse und Wareneingangsprüfung an Fertigprodukten

  • 12 Jahre, Jan. 1992 - Dez. 2003

    Referent für ISO 9001

    Siemens - ICM / Cordless Products (später Gigaset)

    Einrichtung und Betreuung eines QM-Systems nach ISO 9001 und Sicherstellung der Zertifizierung (Audits, Dokumentation, Schulung)

  • 6 Jahre und 9 Monate, Apr. 1985 - Dez. 1991

    Wechselnde Aufgaben im Qualitätsmanagement

    Siemens AG (später Gigaset)

    - Einrichtung eines Labors zur technologischen Fehleranalyse an Halbleiterbauelementen - Leitung der Arbeitsgruppe "Werkstoffprüfung" und Ernennung zum außertariflichen Mitarbeiter der Siemens AG - Qualitätssicherung und Qualifizierung von Zulieferungen (Lieferantenaudits, Qualitätsverträge)

  • 5 Jahre, Apr. 1980 - März 1985

    Doktorand / Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Institut für Halbleitertechnik der RWTH Aachen

    Entwicklung und Betrieb eines Tieftemperatur Photolumineszenzmessplatzes zur Charakterisierung der im Hause hergestellten Halbleiterkristalle. Promotion zum Dr. rer. nat. mit der Arbeit "Charakterisierung von epitaktisch auf InP abgeschiedenen GaxIn1-xAs-Schichten mittels Photolumineszenz und Doppelkristall-Röntgendiffraktometrie"; 11 Veröffentlichungen in renomierten Fachzeitschreiften sowie Präsentationen auf verschiedenen Fachkonferenzen.

Ausbildung von Karl-Heinz Goetz

  • 6 Jahre und 7 Monate, Sep. 1973 - März 1980

    Physik

    RWTH Aachen

    Wahlfächer: Festkörperphysik und Datenverarbeitung; 1977 - 1980: Anstellung als studentische HIlfskraft zur Betreuung von Praktika am 1. Physikalischen Institut; Diplomarbeit: "Ramanspektroskopische Untersuchung elektronischer Übergänge in Tellur"

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Gut

  • Französisch

    Grundlagen

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