
Dr. Ralf Göttsche
Werdegang
Berufserfahrung von Ralf Göttsche
Physikalisches Design von asynchronen neuromorphen Chips; Analyse von Architekturen und Algorithmen von Spiking Neural Networks (SNNs) und deren Vergleich zu Artificial Neural Networks (ANNs).
SOC Microprocessor IP design im Back-End (Synthese & APR) unter Verwendung der Programme 'Design Compiler' und 'ICC'. Spezieller Fokus auf Power Analyse (Leckstrom, Statisch, dynamisch incl. Gate-Level Simulation) unter Verwendung der Werkzeuge 'VCS', 'Debussy', 'Primetime PX' und Zuverlässigkeitsverifikation (IR-Drop, Elektromigration, Self-Heating) mit dem Programm 'Redhawk' und ähnlichen. Innovative Design Studien bzgl. Neuromorphe Schaltkreisentwicklungen.
- 4 Jahre und 11 Monate, Aug. 2009 - Juni 2014
Senior Design Engineer
Intel
Backend Experte im Bereich SOC-Design (Synthese, APR, etc.) von Anwendungsprozessoren (Application Processors). Erfahrungen in den Tools DC, ICC, Primetime, etc. Datenpfad Design und Design von speziellen, digitalen Schaltkreisen zur Logik-Optimierung, Energie-Einsparung und/oder schnelleren Verarbeitung.
- 3 Jahre und 10 Monate, Okt. 2005 - Juli 2009
Senior Application Engineer
Intel
Unterstützen des Entwurfes von Mikroprozessoren und Chip-Sets durch die Bereitstellung von Tools, Flows und Collaterals, wie Technologie-Files, Run-Sets und Bibliotheken. Der Schwerpunkt liegt in der Bereitstellung von analoger und digitaler Standardzellen-Bibliotheken und Software-Umgebungen für die Lebenszeit-Zuverlässigkeitsprüfung (Elekromigration, Self-Heating, IR-Drop, thermische Analyse).
- 11 Monate, Nov. 2004 - Sep. 2005
Ingenieur
Ingenieurbüro Ralf Göttsche
Dienstleistungen im Bereich Halbleitersimulation und Computer System Administration
- 4 Jahre und 2 Monate, Sep. 2000 - Okt. 2004
Doktorand
Technische Universität Hamburg-Harburg/Infineon Technologies AG
Doktorand in einer wissenschaftlichen Kooperation zwischen der Technischen Universität Hamburg-Harburg, Institut für Nanoelektronik, und der Forschungsabteilung Systems Technology der Infineon Technologies AG. Das Thema der Dissertation war 'Entwicklungsumgebung virtueller Technologien für das zukünftige Design digitaler CMOS Schaltungen'. Stichworte: Zukünftige Technologien und ihre Herausforderungen, Device Design, Bauelemente Modellierung, Design Implementierung per AHDL oder Schematic
Ausbildung von Ralf Göttsche
- Bis heute 16 Jahre und 5 Monate, seit 2009
Elektrotechnik
Technische Universität Hamburg-Harburg
- 7 Jahre, Okt. 1993 - Sep. 2000
Elektrotechnik
Technische Universität Hamburg-Harburg
Technische Informatik, Rechnerarchitektur, Mikroelektronik
Sprachen
Deutsch
-
Englisch
-
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