Richard Hollweck

Angestellt, Produktingenieur, Infineon Technologies AG
Regensburg, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

M.Sc. (hons) Advanced optical technologies (Vertie
B.Sc. Physik (Nebenfächer: Physikalische Chemie /
Optohalbleiter (Materialsystem InGaN)
Halbleiterfertigung (Prozesstechnik/Testkonzepte/s
Programmierung C und C++
LabVIEW Grundkenntnisse
Matlab-Programmierung
Grundlagen Biophysik
Auslandserfahrung (Schweden)
LaTeX
MS-Office
Statistische Analysen
Statistische Versuchsplanung

Werdegang

Berufserfahrung von Richard Hollweck

  • Bis heute 12 Jahre und 8 Monate, seit Jan. 2013

    Produktingenieur

    Infineon Technologies AG

    Produktingenieur für Halbleiterbauelemente der Smart Power Technologie (BCD-Technologie)

  • 7 Monate, Juni 2012 - Dez. 2012

    Masterand

    OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    Untersuchung des Einflusses von Hintergrundladungsträgerdichten auf die Effizienz von InGaN-basierten Lichtemittern

  • 3 Monate, März 2012 - Mai 2012

    Praktikant

    OSRAM Opto Semiconductors GmbH

  • 8 Monate, Mai 2011 - Dez. 2011

    Studentische Hilfskraft

    Max-Planck-Institut für die Physik des Lichts

    Spektroskopie an Si-Proben für Photovoltaik-Anwendungen

  • 5 Monate, Okt. 2010 - Feb. 2011

    Übungsleiter

    Lehrstuhl für Physik

    Übungsleiter für Studenten im Bachelorstudiengang Physik; Fach: Experimentalphysik (Mechanik)

  • 3 Monate, Aug. 2008 - Okt. 2008

    Studentische Hilfskraft

    Max-Planck-Forschungsgruppe (Quanteninformationsverarbeitung)

    MPFG für Optik, Information und Photonik

  • 3 Monate, Apr. 2007 - Juni 2007

    Werkstudent Power Generation

    Siemens AG

Ausbildung von Richard Hollweck

  • 2 Jahre und 3 Monate, Okt. 2010 - Dez. 2012

    Advanced optical technologies

    FAU Erlangen-Nürnberg

    Optische Technologien, Laserphysik, Materialphysik

  • 6 Monate, Aug. 2009 - Jan. 2010

    Physik

    Universität Lund

    Austauschsemester im Rahmen des Erasmus-Programms

  • 3 Jahre, Okt. 2007 - Sep. 2010

    Physik

    FAU Erlangen-Nürnberg

    Bachelorarbeit: "Elektrische Charakterisierung von Fe-korrelierten Störstellen in p-dotiertem 4H-SiC"

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

  • Französisch

    Grundlagen

  • Schwedisch

    Gut

  • Spanisch

    Grundlagen

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