Richard Hollweck

Angestellt, Produktingenieur, Infineon Technologies AG
Regensburg, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

M.Sc. (hons) Advanced optical technologies (Vertie
B.Sc. Physik (Nebenfächer: Physikalische Chemie /
Optohalbleiter (Materialsystem InGaN)
Halbleiterfertigung (Prozesstechnik/Testkonzepte/s
Programmierung C und C++
LabVIEW Grundkenntnisse
Matlab-Programmierung
Grundlagen Biophysik
Auslandserfahrung (Schweden)
LaTeX
MS-Office
Statistische Analysen
Statistische Versuchsplanung

Werdegang

Berufserfahrung von Richard Hollweck

  • Current 13 years and 5 months, since Jan 2013

    Produktingenieur

    Infineon Technologies AG

    Produktingenieur für Halbleiterbauelemente der Smart Power Technologie (BCD-Technologie)

  • 7 months, Jun 2012 - Dec 2012

    Masterand

    OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    Untersuchung des Einflusses von Hintergrundladungsträgerdichten auf die Effizienz von InGaN-basierten Lichtemittern

  • 3 months, Mar 2012 - May 2012

    Praktikant

    OSRAM Opto Semiconductors GmbH

  • 8 months, May 2011 - Dec 2011

    Studentische Hilfskraft

    Max-Planck-Institut für die Physik des Lichts

    Spektroskopie an Si-Proben für Photovoltaik-Anwendungen

  • 5 months, Oct 2010 - Feb 2011

    Übungsleiter

    Lehrstuhl für Physik

    Übungsleiter für Studenten im Bachelorstudiengang Physik; Fach: Experimentalphysik (Mechanik)

  • 3 months, Aug 2008 - Oct 2008

    Studentische Hilfskraft

    Max-Planck-Forschungsgruppe (Quanteninformationsverarbeitung)

    MPFG für Optik, Information und Photonik

  • 3 months, Apr 2007 - Jun 2007

    Werkstudent Power Generation

    Siemens AG

Ausbildung von Richard Hollweck

  • 2 years and 3 months, Oct 2010 - Dec 2012

    Advanced optical technologies

    FAU Erlangen-Nürnberg

    Optische Technologien, Laserphysik, Materialphysik

  • 6 months, Aug 2009 - Jan 2010

    Physik

    Universität Lund

    Austauschsemester im Rahmen des Erasmus-Programms

  • 3 years, Oct 2007 - Sep 2010

    Physik

    FAU Erlangen-Nürnberg

    Bachelorarbeit: "Elektrische Charakterisierung von Fe-korrelierten Störstellen in p-dotiertem 4H-SiC"

Sprachen

  • German

    C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)

  • English

    C1 (Fließend)

  • French

    A1-A2 (Grundkenntnisse)

  • Swedish

    B1-B2 (Gute Kenntnisse)

  • Spanish

    A1-A2 (Grundkenntnisse)

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