Tom Becker

Angestellt, Wissenschaftlicher Mitarbeiter, Fraunhofer IISB
Abschluss: Master of Science, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Erlangen, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

Halbleitertechnologie
Siliziumkarbid
Projektmanagment
Halbleiterphysik
Mikroelektronik
Nanotechnologie
Silizium
Mikroskopie
Quantenmechanik

Werdegang

Berufserfahrung von Tom Becker

  • Current 6 years and 9 months, since Sep 2019

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Fraunhofer IISB

    Halbleiter-Entwicklungsingenieur in der Leistungselektronik (Transistoren, Dioden und Kondensatoren auf Siliziumkarbid und Silizium) - Simulation - Design - Prozessierung - Charakterisierung

  • 3 years, Sep 2016 - Aug 2019

    Studentische Hilfskraft

    Fraunhofer IISB

    Rasterkraftmikroskop (AFM/SFM) Messungen und Analyse: Topographische und elektrische Messungen (TUNA, cAFM, thermisch und unter Stickstoffatmosphäre), Widerstandsmessungen (SSRM), Kelvin-Probe-Force (KPFM) Sputtern und Aufdampfen (C, Au, Al, Pt,...) auf elektronische Bauelemente Untersuchungen mit optischen Profilometer (ZETA)

  • 2 months, Aug 2017 - Sep 2017

    Werkstudent

    Wacker Chemie AG

    Regelmäßige Anstellung für sechs bis acht Wochen in den Sommersemesterferien 2012-2017. Abfüllen und Ansetzen von Silikonen

  • 2 months, Mar 2013 - Apr 2013

    Zeitarbeiter für Bauunternehmen in Neuseeland

    RobLawMax Recruitment

  • 2 months, Oct 2012 - Nov 2012

    Zeitarbeiter für Bauunternehmen in Neuseeland

    AWF Group (Allied Workforce)

Ausbildung von Tom Becker

  • 2 years and 5 months, Apr 2017 - Aug 2019

    Nanotechnologie

    Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg

    Kernfach: Materialien der Elektronik und Energietechnik - Kristallwachstum Nebenfach: Technologie integrierter Schaltungen, Prozessinegration und Bauelementarchitektur Masterarbeit: Charakterisierung von tiefen Störstellen nach Implantation von Aluminium in n-Typ 4H-Siliziumkarbid (LEB/IISB)

  • 3 years and 7 months, Sep 2013 - Mar 2017

    Nanotechnologie

    Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg

    Bachelorarbeit: Untersuchung inhomogener Schottky-Barrieren in 4H-SiC mittels cAFM (IISB)

Sprachen

  • German

    C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)

  • English

    C1 (Fließend)

  • Spanish

    A1-A2 (Grundkenntnisse)

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