Dr. Viktor Osinniy

Angestellt, Ingenieur Yield Enhancement MEMS, X-FAB MEMS Foundry GmbH
Arnstadt, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

Forschungsleistung
Materialwissenschaften
Materialentwicklung
Materialcharakterisierung
Projekterfahrung
Halbleitertechnologie
Halbleitertechnik
Photovoltaik
Ferromagnetische Halbleiter
Thermoelektrische Halbleiter
Ferroelektrische Halbleiter
Nanotechnologie
Messtechnikentwicklung
DoF
Hochvakuum
Tieftemperaturtechnik
Hohe magnetische Felder
Synchrotron
VUV-Strahlung
Photoemission
Photolumineszense
Hall-Effekt
Peltier-Effekt
Seebeck-Effekt
DLTS
MCTS
SQUID
Silicium
GaAs
PbTe
GeTe
ZnO
Magnetron sputtering
EVOP
SPC
Czochralski
TEM
SIMS
Defektanalyse
Defect Engineering
FTIR-Spektroskopie

Werdegang

Berufserfahrung von Viktor Osinniy

  • Current 8 years and 6 months, since Dec 2017

    Ingenieur Yield Enhancement MEMS

    X-FAB MEMS Foundry GmbH

  • 2 years and 2 months, Oct 2015 - Nov 2017

    Qualitätsingenieur

    SolarWorld Industries Thüringen GmbH

  • 3 years and 1 month, Apr 2011 - Apr 2014

    Entwicklungsingenieur

    Bosch Solar Energy AG

    - Analyse und Interpretation von Materialeigenschaften vorrangig mittels elektrischen und optischen Messmethoden - Ableitung von Empfehlungen zur Prozess- und Verfahrensoptimierung im Bereich Kristallzüchtung und -weiterverarbeitung - Analyse von Defekten kristalliner Wafer über die gesamte Wertschöpfungskette - Erstellung von Analyseberichten und Prüfvorschriften - Mitarbeit in öffentlich geförderten Projekten zur Entwicklung und Herstellung dünner Wafer

  • 1 year and 6 months, Oct 2009 - Mar 2011

    Entwicklungsingenieur

    RAcell A/S GmbH, Kopenhagen, Dänemark

    - Analyse von Defekten in multikristallinem Silicium mittels elektrischen, optischen sowie Röntgenmessmethoden - Entwicklung von Verfahren zur Reduzierung der Konzentration von Rekombinationszentren während der Solarzellen-Produktion - wissenschaftliche Projektleitung im Bereich Solar-Grade-Silicium für die Photovoltaik - Erstellung von Analyse- und Projektberichten

  • 2 years, Oct 2007 - Sep 2009

    wissenschaftlicher Mitarbeiter, Post-Doktorand

    Universität Aarhus, Dänemark

    - Analyse von Defekten in multikristallinem Silicium mittels elektrischen und optischen Messmethoden sowie Elektronenmikroskopie - Herstellung von Mehrschichtstrukturen mit Silicium-Nanoteilchen - Bestimmung der Transportmechanismen von Ladungsträgern in Mehrschichtstrukturen mit Silicium-Nanoteilchen - Analyse und Interpretation von Generations- und Rekombinationsprozessen in Mehrschichtstrukturen mit Silicium-Nanoteilchen - Betreuung von Bachelor- und Masterarbeiten

  • 3 years and 3 months, Aug 2004 - Oct 2007

    wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Institut für Physik, Polnische Akademie der Wissenschaften, Warschau, Polen

    - Analyse und Interpretation der elektrischen und magnetischen Eigenschaften semimagnetischer III-V- und IV-VI-Halbleiter für Spintronik - Untersuchung der Anwendbarkeit von Bleitellurid-Halbleitern mit Mn-, Sn- und Ag-Ionen in thermoelektrischen Bauelementen - Untersuchung und Analyse der elektrischen und ferroelektrischen Eigenschaften von II-VI und IV-VI Halbleitern - Mitarbeiter in öffentlich geförderten Projekten zum Thema Photoemission in Halbleitern mittels Synchrotronstrahlung

Ausbildung von Viktor Osinniy

  • 4 years and 10 months, Oct 1999 - Jul 2004

    Halbleiterphysik

    Institut für Physik, Polnische Akademie für Wissenschaften, Warschau, Polen

    Halbleiterphysik, Halbleitertechnologie; GaAs, PbTe, PbSnTe, GeTe, CdTe, ZnO; elektrische, thermoelektrische und magnetische Charakterisierung

  • 4 years and 10 months, Sep 1992 - Jun 1997

    Physik

    Staatliche Universität Donezk, Ukraine

    allgemeine Physik; Didaktik; Psychologie

Sprachen

  • German

    C1 (Fließend)

  • English

    C1 (Fließend)

  • Russian

    C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)

  • Polish

    C1 (Fließend)

  • Ukrainisch Muttersprache

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