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Andrei Andreev

Angestellt, Angestellter, Infineon Technologies Austria AG
Anif, Österreich

Fähigkeiten und Kenntnisse

Langjährige Erfahrung mit thermischem Aufdampfen
MBE
Hot Wall Epitaxie und organischer Epitaxie. Diele
speziell Atomkraftmikroskopie
Rasterelektronenmikroskopie und Röntgendiffraktion

Werdegang

Berufserfahrung von Andrei Andreev

  • Bis heute 15 Jahre und 1 Monat, seit Mai 2010

    Angestellter

    Infineon Technologies Austria AG

    Fehleranalytik

  • 1 Jahr und 1 Monat, Apr. 2009 - Apr. 2010

    Projektmitarbeiter

    Sony DADC Austria AG

    Oberflächenanalytische Untersuchungen (Atomkraftmikroskopie, Rasterelektronenmikroskopie, energiedispersive Röntgenspektroskopie) von mikrofluidischen Bauelementen zwecks Prozesskontrolle und Qualitätssicherung in der Beschichtung- und Prezisionsspritzgussprozessen.

  • 1 Jahr und 5 Monate, Juli 2007 - Nov. 2008

    Senior Scientific Researcher

    Nanoident Technologies AG

    Entwicklung von innovativen Lösungen auf dem Gebiet der aufgedampften Elektroden für gedruckte organische Sensoren. Umfangreiche Untersuchungen im Bereich der Prozessoptimierung. Atomkraftmikroskopie – Untersuchungen.

  • 2 Jahre und 6 Monate, Jan. 2005 - Juni 2007

    Univ.-Ass.

    Montanuniversität Leoben

    Lehre und Forschung. Selbständige Durchführung von mehren Forschungsprojekten auf dem Gebiet der Atomkraftmikroskopie: Untersuchungen unterschiedlicher organischer und anorganischer Dünnschichtsystemen. Projektleiter.

  • 6 Jahre, Jan. 1999 - Dez. 2004

    Forschungsassistent

    Universität Linz

    Etablierung der Hot Wall Epitaxie für organische Dünnschichtstrukturen. Prozessoptimierung. Fungierte Atomkraftmikroskopie–Untersuchungen und optische Charakterisierung.

  • 2 Jahre, Jan. 1997 - Dez. 1998

    Promovierter wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Institut für Mikrostrukturphysik der russischen Akademie der Wissenschaften

    Adaptierung der Solid Source –Molekularstrahlepitaxie zur Herstellung von in Infrarot emittierenden Si:Er- Dioden. Umfangreiche Untersuchungen im Bereich der Prozessoptimierung.

  • 15 Jahre und 5 Monate, Aug. 1981 - Dez. 1996

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Universität Gorki, Russland

    Entwicklung der s.g. „Solid Source“ -Molekularstrahlepitaxie

Ausbildung von Andrei Andreev

  • 3 Jahre und 1 Monat, Dez. 1987 - Dez. 1990

    Experimentalphysik

    Staatliche Universität Gorki, Russland

  • 5 Jahre, Sep. 1976 - Aug. 1981

    Mathematik und Physik

    Staatliche Universität Gorki, Russland

    Halbleiterphysik

Sprachen

  • Deutsch

    Fließend

  • Englisch

    Fließend

  • Russisch

    Muttersprache

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