Dr. Dzmitry Hrunski

Angestellt, Senior Process Engineer, BASF
Freudenstadt, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

PECVD in area thin film Photovoltaics (dünnschich
in-situ plasma control
plasma etching
cleaning; low tempearture plasma research; amorph
Plasma Impedance Mesurement; Actinometry; Optical
constant photo current method (CPM) (measurement/a
SIMS (data analysis)
RBS (data analysis)
Raman (data analysis)
FTIR (measurement/analysis). - Soft: ACAD
P-CAD
OriginLab
Z’Scan soft
Minitab
Mitarbeiter
Simulation
Forschung und Entwicklung

Werdegang

Berufserfahrung von Dzmitry Hrunski

  • Current 4 years and 11 months, since Jul 2021

    Senior Process Engineer

    BASF

  • Current 5 years and 4 months, since Feb 2021

    Senior Development Engineer Vacuum

    Gebr. SCHMID GmbH

  • Current 9 years and 8 months, since Oct 2016

    Senior Prozessentwickler

    Solayer GmbH

    Entwieklung, Plasmaphysik, Vakuumprozessen, Ätzprozesse, Dünnschichttechnologien, Dünnschichteigenschaften Messung. der Simulation (COMSOL Multiphysics ® ) und der Charakterisierung von dünnen Schichten (z.B. Ellipsometrie).

  • Current 12 years, since Jun 2014

    Senior Prozessentwickler

    Manz AG, Karlstein

  • 3 years and 6 months, Dec 2010 - May 2014

    R&D Project manager

    Leybold Optics GmbH

  • 1 year and 7 months, May 2009 - Nov 2010

    Senior Process Engineer

    Sunfilm

    PECVD process development

  • 4 years and 2 months, Apr 2005 - May 2009

    Wissenschaftler

    Forschungszentrum Jülich, Institut für Photovoltaik (IEF-5)

    Der Materialforschung ebenso wie die Entwicklung und der Einsatz von Schichten, Schichtsystemen und Reinigungsplasmen zur Verbesserung des Wirkungsgrades von Dünnschichtsolarzellen. Weitere Tätigkeiten waren die Betreuung von Drittmittelprojekten auf nationaler internationaler Ebene im ober eingesetzten wissenschaftlichen und technischen Mitarbeitern, Doktoranden, Diplomanden.

  • 3 years and 3 months, Jan 2002 - Mar 2005

    Postdoc

    TU Kaiserslautern

    development of a-Si:H, µc-Si:H and tandem (micromorph) cells fully deposited by HWCVD, reproducibility of process. Projekt Fö. K.Z. 0329811A

  • 2000 - 2001

    Assistant Professor

    Belarussian State University of Informatics and Radioelectronics

Ausbildung von Dzmitry Hrunski

  • 1995 - 1998

    Semiconductor and vacuum technology

    Belarussian State University of Informatics and Radioelectronics

    Ph.D. thesis: Deposition of a-Si:H films in two frequency discharge (55 kHz+13.5 MHz) of plasma (SiH4+Ar(95%)) Defend- 19 April 2001

Sprachen

  • Russian

    C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)

  • English

    C1 (Fließend)

  • German

    C1 (Fließend)

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