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Dr. Dzmitry Hrunski

Angestellt, Senior Process Engineer, BASF
Freudenstadt, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

PECVD in area thin film Photovoltaics (dünnschich
in-situ plasma control
plasma etching
cleaning; low tempearture plasma research; amorph
Plasma Impedance Mesurement; Actinometry; Optical
constant photo current method (CPM) (measurement/a
SIMS (data analysis)
RBS (data analysis)
Raman (data analysis)
FTIR (measurement/analysis). - Soft: ACAD
P-CAD
OriginLab
Z’Scan soft
Minitab
Mitarbeiter
Simulation
Forschung und Entwicklung

Werdegang

Berufserfahrung von Dzmitry Hrunski

  • Bis heute 3 Jahre und 11 Monate, seit Juli 2021

    Senior Process Engineer

    BASF

  • Bis heute 4 Jahre und 4 Monate, seit Feb. 2021

    Senior Development Engineer Vacuum

    Gebr. SCHMID GmbH

  • Bis heute 8 Jahre und 8 Monate, seit Okt. 2016

    Senior Prozessentwickler

    Solayer GmbH

    Entwieklung, Plasmaphysik, Vakuumprozessen, Ätzprozesse, Dünnschichttechnologien, Dünnschichteigenschaften Messung. der Simulation (COMSOL Multiphysics ® ) und der Charakterisierung von dünnen Schichten (z.B. Ellipsometrie).

  • Bis heute 11 Jahre, seit Juni 2014

    Senior Prozessentwickler

    Manz AG, Karlstein

  • 3 Jahre und 6 Monate, Dez. 2010 - Mai 2014

    R&D Project manager

    Leybold Optics GmbH

  • 1 Jahr und 7 Monate, Mai 2009 - Nov. 2010

    Senior Process Engineer

    Sunfilm

    PECVD process development

  • 4 Jahre und 2 Monate, Apr. 2005 - Mai 2009

    Wissenschaftler

    Forschungszentrum Jülich, Institut für Photovoltaik (IEF-5)

    Der Materialforschung ebenso wie die Entwicklung und der Einsatz von Schichten, Schichtsystemen und Reinigungsplasmen zur Verbesserung des Wirkungsgrades von Dünnschichtsolarzellen. Weitere Tätigkeiten waren die Betreuung von Drittmittelprojekten auf nationaler internationaler Ebene im ober eingesetzten wissenschaftlichen und technischen Mitarbeitern, Doktoranden, Diplomanden.

  • 3 Jahre und 3 Monate, Jan. 2002 - März 2005

    Postdoc

    TU Kaiserslautern

    development of a-Si:H, µc-Si:H and tandem (micromorph) cells fully deposited by HWCVD, reproducibility of process. Projekt Fö. K.Z. 0329811A

  • 2000 - 2001

    Assistant Professor

    Belarussian State University of Informatics and Radioelectronics

Ausbildung von Dzmitry Hrunski

  • 1995 - 1998

    Semiconductor and vacuum technology

    Belarussian State University of Informatics and Radioelectronics

    Ph.D. thesis: Deposition of a-Si:H films in two frequency discharge (55 kHz+13.5 MHz) of plasma (SiH4+Ar(95%)) Defend- 19 April 2001

Sprachen

  • Russisch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

  • Deutsch

    Fließend

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