Johannes Kaeppeler

For compound semiconductor or semiconductor production equipment development or operating organizations: Review and assessment ofproduction equipment design or technology. Including CVD, MOCVD, HT CVD SiC, VPE, HVPE GaN For non-semiconductor equipment technology organizations: for organizations or companies which do not have specific people focusing on this. Assessing the current IP protection of key products

For compound semiconductor or semiconductor production equipment development or operating organizations: Review and assessment ofproduction equipment design or technology. Including CVD, MOCVD, HT CVD SiC, VPE, HVPE GaN , ALD, OVPD, PVPD For non-semiconductor equipment technology organizations: for organizations or companies which do not have specific people focusing on this. Assessing the current IP protection of key products

Verantwortlich für die Definition der Produktstrategie und deren Umsetzung. Dies beinhaltet die Entwicklung, und Weiterentwicklung vom Konzept bis zu fertigen Produktionsanlage für alle in Frage kommenden Anwendungen. In der Geschäftsführung außerdem verantwortlich für: - Den Vertrieb von Hochspannungspuls Brechern für hochreines Silizium - Verträge mit Schlüssellieferanten und Technologie Partnern

Verantwortlich für die Entwicklungstätigigkeiten mit ca. 330 Mitarbeiter an den Standorten Herzogenrath, Cambridge (UK) und Lund (Schweden). Erfolge u.a. • Optimierung des Prozessablaufs von Planung bis zum Bau von Standard- und Prototypenanlagen • Erhöhung der Entwicklungskapazität durch Auswahl und Steuerung eines externen indischen Anbieters • Einführung einheitlicher konzernweiter Engineering Prozesse und Tools (World Wide Engineering)

Verantwortlich für die Entwicklungstätigkeiten im Bereich Verbindungshalbleiter und organische Halbleiter mit ca. 150 Mitarbeitern an den Standorten Aachen/Herzogenrath, Cambridge (UK) und Lund (Schweden) Erfolge: • Überwachung und Sicherstellung des Entwicklungsprojektes einer neuen Anlagengeneration in der Unit Silicon Semiconductor • Entwicklung einer neuen Polymer Gasphasen Beschichtungsanlage für die Produktion von Funktionsschichten für ein E-Reader Display

Verantwortlich für die Entwicklungstätigkeiten im Bereich Verbindungshalbleiter mit ca.100 Mitarbeitern an den Standorten Aachen, Cambridge (UK) und Lund (Schweden) Erfolge: • Integration des aus 20 Mitarbeiter bestehenden Engineering-Bereichs der akquirierten Thomas Swan Division bei gleichzeitiger Beschleunigung der Produktentwicklung und Einsparung von Materialkosten • Modulare Bauweise für unterschiedliche Maschinen mit der Möglichkeit, hohe Stückzahlen bei hoher Profitabilität zu generieren

Verantwortlich für 80 Mitarbeiter in den Abteilungen Equipment Development und Process Development (Applikations-Labor) • Umsetzung der Konzern-Organisationsstruktur basierend auf 2 Business Units • Design Meetings für kundenspezifische Sonderanlagen vorwiegend mit asiatischen und US Kunden • Umsetzung eines Sozialplans inklusive der Kommunikation mit den betroffenen Mitarbeitern

Verantwortlich für 40 Mitarbeiter in den Funktionen Conceptual Design, Equipment Development (Mechanische-, Elektronik- und Softwareentwicklung) sowie Manufacturing Design • Organisatorische Entwicklung der 3 Abteilungen • Entwicklung der ersten Gasphasenbeschichtungsanlage für organische Halbleiter • Initiierung und Umsetzung der Entwicklung eines neuartigen Produktionsreaktors für die Produktion von Siliziumkarbid für leistungselektronische Bauelemente

verantwortlich für 2 Gruppen:Mechanische Konstruktion sowie Mechanische Fertigung • 35-50 Anlagen pro Jahr konstruiert, geplant und gebaut • Einführung 3D CAD System ProE • Umsetzung der Entwicklung des ersten Produktionsreaktors für das Abscheiden von Siliziumkarbid für leistungselektronische Bauelemente • Entwicklung des ersten induktionsbeheizten Produktionsreaktors für Galliumnitrid und für Galliumarsenid für opto-elektronische Bauelemente (z.B. LEDs)

Gruppenleiter Konstruktion • Entwicklung des ersten induktionsbeheizten Hochtemperaturreaktors für die Abscheidung von Siliziumkarbid (bis zu 1600°C)

Verfahrenstechnik