Thomas Keßler
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Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Thomas Keßler
- Bis heute
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- 1 Jahr, Juni 2008 - Mai 2009
Studentische Hilfskraft
Lehrstuhl für elektronische Bauelemente und integrierte Schaltkreise, TU Dresden
- Wafer-Messungen (dc, ac, cv, über Temperatur) mit ICCAP - Extraktion der ersten firmeneigenen geometrie spezifische HICUM Modelle für SiGe NPN SOI und NPN LV und HV Bipolartransistoren Bipolartransistoren - Erstellen von ICCAP Macros zur automatischen Überprüfung der Skalierung extrahierter Parameter von geometrieskalierbaren HICUM Modellen - Anpassung der wafer-spezifischen Modelle an Prozesskenngrößen - QA Test der fertigen Modelle in der Cadance Design Umgebung
- 1 Jahr, Juni 2008 - Mai 2009
Device Engineering Intern
National Semiconductor
- Wafer-Messungen (dc, ac, cv, über Temperatur) mit ICCAP - Extraktion der ersten firmeneigenen geometrie spezifische HICUM Modelle für SiGe NPN SOI und NPN LV und HV Bipolartransistoren Bipolartransistoren - Erstellen von ICCAP Macros zur automatischen Überprüfung der Skalierung extrahierter Parameter von geometrieskalierbaren HICUM Modellen - Anpassung der wafer-spezifischen Modelle an Prozesskenngrößen - QA Test der fertigen Modelle in der Cadance Design Umgebung
- 2 Jahre und 2 Monate, Apr. 2006 - Mai 2008
Studentische Hilfskraft
Lehrstuhl für elektronische Bauelemente und integrierte Schaltkreise
- Wafer-Messungen (dc, ac, über Temperatur) mit ICCAP - Modellierung und Charakterisierung von Bipolar- und MOS Transistoren, Dioden, passiven Bauteilen - Durchführung numerischer Simulationen mit dem lehrstuhleigenen Bauelementesimulator DEVICE - Analyse von Mess- und Simulationsdaten und Parameterextraktion mit MATLAB und dem lehrstuhleigenen Transistordimensionierungsprogramm TRADICA
Ausbildung von Thomas Keßler
- 6 Jahre und 6 Monate, Okt. 2003 - März 2010
Elektortechnik
Technische Universität Dresden
- Spezialisierung in Mikroelektronik und Bauelementemodellierung bzw. Charaktersierung - Thema der Diplomarbeit: Modellierung des elektrothermischen Verhaltens von modernen Heterostruktur-Bipolartransisoren, Abschluss mit der Note 1.3 - Diplomprüfung wurde mit der Gesamtnote 1,8 abgeschlossen
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Englisch
Fließend
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