Todd McKenzie
Werdegang
Berufserfahrung von Todd McKenzie
Lead engineering teams in SOI MOSFET compact model development. Also see general summary.
- 4 Monate, Juni 2004 - Sep. 2004
Researcher
National Nano Device Laboratories
FinFET semiconductor device modeling
- 1999 - 2003
Graduate Research Assistant
Microelectronics Research Center at Georgia Tech
Responsible for CMOS manufacturing line (1 um pitch, 2 metal, 2 poly) in a research environment. Instructed recurring cleanroom lithography course. Research focus in wet etching in the application of MEMS/CMOS process integration.
- 3 Monate, Juni 2001 - Aug. 2001
Product Engineer
Intel
Flash memory product group Test and characterization Software development
Ausbildung von Todd McKenzie
- Bis heute 19 Jahre und 6 Monate, seit 2006
Computer Science
Stanford
Artificial Intelligence
- 2001 - 2003
Electrical and Computer Engineering
Georgia Institute of Technology
- 1 Jahr, Aug. 1998 - Juli 1999
Mandarin Chinese
National Taiwan Normal University
- 1996 - 2001
Computer Engineering
Georgia Institute of Technology
Sprachen
Englisch
-
Chinesisch
Gut
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