Werner Geppert
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Werner Geppert
- Bis heute 5 Jahre und 2 Monate, seit März 2020
Head Product Design Lighting Electronics
HELLA Konzern
Identifikation und Umsetzung von Produktivitäts- oder Qualitätsmaßnahmen in Intel's Cellular RF and Connectivity Group.
- 2 Jahre und 5 Monate, Okt. 2016 - Feb. 2019Intel Deutschland GmbH
Senior Director, Product Development Solutions
Innerhalb der Corporate CAD Group verantwortlich für die Bereitstellung von Entwicklungsumgebungen für die Intel Communications and Devices Group. Richtlinienkompetenz als Leiter der System Architektur Gruppe für die zukünftige Intel SoC Entwicklungsumgebung. Wesentliche beiträge zur Harmonisierung der unterschiedlichen Entwicklungsumgbungen. Leitung signifikante Produktivitäts- und Restrukturierungsprogramme.
- 5 Jahre und 8 Monate, Feb. 2011 - Sep. 2016Intel Deutschland GmbH
Senior Director Design Methodology & Flow
Leitung eines Teams von bis zu 150 Ingenieuren in Indien, EMEA und USA. Entwicklung, Ausrollen und Support von Design Methoden und -Umgebungen (Flows) für die Entwicklung von Mobilfunk SoC's inkusive der Anbindung an die Platform SW Entwicklung. Technische Abdeckung: System-, Firmware, RTL-Design/Verifikation und digitale Implementierung (RTL2GDS), Analog/RF sowie Chip-Package-Board Co-Design. 6-monatiger Aufenthalt in Austin, Texas zur Integration einer neuen Entwicklungsgruppe.
Leitung einer globalen Methodik- und CAD Organisation mit 5 Standorten in Europa und Indien mit ca 100 Mitarbeitern. Verantwortlich für die Bereitstellung unde den Support von Entwicklungsmethoden, -Flows und Werkzeugen in den für die Chipentwicklung relevanten Bereichen System, Funktionale Verifikation, Analog/RF/Mixed-Signal sowie Chip-Package-Board Co-Design.
- 3 Jahre und 4 Monate, Okt. 2002 - Jan. 2006Infineon Technologies
Direktor RF/Analoge Entwicklungsmethodik, Siliziumverifikation
Aufbau einer neuen Gruppe für Analog- und Hochfrequenz (RF) Entwicklungsmethodik sowie Leitung einer Gruppe für die Silizium-Verifikation von Hochfrequenztransceivern und Basisband System on Chip (SoC) Bausteinen. Budget- und disziplinarische Verantwortung von bis zu 50 Mitarbeitern in vier europäischen Standorten.
- 3 Jahre, Okt. 1999 - Sep. 2002
Design Center Manager
Infineon Technologies North America Corp.
Leiter eines Standortes in Princeton, NJ zur Entwicklung von anwendungsspezifischen Hochfrequenzchips (RF ASICs) für den US Mobilfunkmarkt nach Standards IS-136, IS-95 & CDMA2000. Technisches Marketing, Akquise, Projektleitung. Volle Budget und Personalverantwortung.
- 3 Jahre und 3 Monate, Juli 1996 - Sep. 1999
HF / Analog Entwicklungsingenieur
SIEMENS Halbleiter
Analog und Hochfrequenz-Schaltungsentwicklung (Chip) für Schnurlose Telefone (DECT, 2,4GHz ISM) und Bluetooth. Technische Projektleitung; Designmethodik
Ausbildung von Werner Geppert
- 4 Jahre und 11 Monate, Aug. 1991 - Juni 1996
Elektrotechnik
Ruhr-Universität Bochum
Modellierung von Si/SiGe Heterobipolartransistoren, Entwicklung von Demonstratorschaltungen für die optische Kommunikation bis 30Gb/s, Beantragung, Aufsetzen und Durchführung von Förderprojekten in Zusammenarbeit mit Industriepartnern
- 5 Jahre und 10 Monate, Okt. 1985 - Juli 1991
Elektrotechnik
Ruhr-Universität Bochum
Analoge und digitale Schaltungstechnik, Hochfrequenzmeßtechnik, Halbleitertechnologie, Bauelementmodellierung
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Englisch
Fließend
Französisch
Grundlagen
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