Dr. Yang Ge
Werdegang
Berufserfahrung von Yang Ge
• Delamination-Defekt in e-SiGe sowie der Plasma-Lackentfernung in MOSFET-Anwendung • Planung und Durchführung von Versuchen auf strukturierten Scheiben • TEM, TOF-SIMS, AES, Spektrometer und Defekt-Scan als Grundlage der Untersuchungen • Iterative Nutzung der experimentellen Ergebnisse zur Überprüfung und ggf. Anpassung der Theorie • Nutzung der Ergebnisse zur Definition/Eingrenzung eines möglichen neuen Soll-Prozesses • Durchführung von Prozessfensteranalysen
- 7 Monate, März 2012 - Sep. 2012
Internship
Novaled AG
• Arbeit in Reinräumen • Analyse und Optimierung von organischer Materialienleistung als aktive Schichten von LEDs in bestimmten Umständen • Durchführung von Messungen für optische (UV-Absorption) und elektrische (IV) Charakterisierung von OLEDs • Analyse von Daten und Erstellung von Berichten
Ausbildung von Yang Ge
- 4 Jahre und 2 Monate, Nov. 2013 - Dez. 2017
Microelectronics
TU Dresden
Thema „Gedruckte Kondensatoren und Ladungsspeicher“ Schwerpunkte: • Innovative Technologien und Bauelemente der Elektronik und Mikrosystemtechnik • Bauelemente mit neuen Eigenschaften • Gedruckte Elektronik (Kondensatoren, Speicherzellen, G-Dielektrika von oFETs)
- 3 Jahre und 2 Monate, Sep. 2010 - Okt. 2013
Mikrosystem- und Nanotechnologie
Technische Universität Dresden
Schwerpunkte: • Mikrosystemtechnik • Halbleitertechnik • Aufbau- und Verbindungstechnik
- 4 Jahre, Sep. 2005 - Aug. 2009
Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
UNIVERSITÄT FÜR INUDSTRIE HARBIN
Schwerpunkte: • Leistungselektronik • Sensortechnik • Regelungs- und Steuerungstheorie
Sprachen
Deutsch
Fließend
Englisch
Fließend
Chinesisch
Muttersprache
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