Alexander Pooth
Angestellt, GaN RF Technologist, IQE Europe
Cardiff, United Kingdom
Werdegang
Berufserfahrung von Alexander Pooth
- Current 12 years and 5 months, since Jan 2014
GaN RF Technologist
IQE Europe
Charakterisierung und Optimierung von GaN-Transistor-Strukturen.
- 2 years and 7 months, Feb 2011 - Aug 2013
Studentische Hilfskraft
LuF GaNBET an der RWTH Aachen
Labortätigkeit: Epitaxie (MOVPE) von GaN-basierten Heterostrukturen sowie Strukturierung und Charakterisierung von Halbleiterbauelementen (HFETs)
Ausbildung von Alexander Pooth
- Bis heute
Physik
RWTH Aachen
Sprachen
German
C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)
English
C1 (Fließend)
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