Dr. Andreas Hürner
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Andreas Hürner
- 1 Jahr und 7 Monate, Jan. 2016 - Juli 2017
Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Fraunhofer IISB
- Evaluierung neuartiger Halbleitertechnologien (Si, SiC, Diamant) für leistungselektronische Systeme in elektrischen Bahnen und der Energieübertragung - Design, Herstellung und Charakterisierung von Si-, SiC- und C-Leistungsbauelementen (IGBT, MOSFET, JFET, JBS-Diode) - Betreuung studentischer Arbeiten
- 5 Jahre und 4 Monate, Sep. 2010 - Dez. 2015Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg
Wissenschaftlicher Assistent
Wissenschaftliche Tätigkeit: - Erforschung eines neuartigen bipolaren Feldeffekttransistors (BIFET) auf SiC - Erforschung von Randabschlusskonzepten (JTE) - Erforschung der dynamischen Eigenschaften von unipolaren und bipolaren SiC-Dioden - Numerische Modellbildung mittels TCAD/ Sentaurus Lehrtätigkeit: - Dozent der Vorlesung der Halbleiter- und Bauelementemesstechnik - Dozent Halbleiterbauelemente/ Leistungshalbleiterbauelemente - Betreuung studentischer Abschlussarbeiten
Ausbildung von Andreas Hürner
- Bis heute 14 Jahre und 10 Monate, seit Sep. 2010
Elektrotechnik
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Erforschung bipolarer SiC-Feldeffekttransistoren (Modellierung, Herstellung und Charakterisierung)
- 5 Jahre und 10 Monate, Sep. 2004 - Juni 2010
Mikroelektronik
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
- Halbleitertechnologie - Analoge und Digitale Systeme
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Englisch
Fließend
Spanisch
Grundlagen
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