Dr. Armin Muehlhoff

Bis 2023, FEoL Reliability Expert, GLOBALFOUNDRIES Dresden
Dresden, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

Austausch und Beratung zum Themenbereich Transisto
NBTI
Off-State stress / # Single Workfunction (SWF)
Dual Workfunktion (DWF)-Technologien
high-k - Technologien / # DC- und AC - Stress
Nitridierung
Anneals
etc.) auf Zuverlässigkeit / # Definition geeig
Einsatzaspannung
Leckstrom) / # Lebensdauer-Extrapolationsmodel
Temperatur)

Werdegang

Berufserfahrung von Armin Muehlhoff

  • Bis heute 15 Jahre und 6 Monate, seit Jan. 2010

    MTS Reliability Engineer

    GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co.KG

  • 13 Jahre und 9 Monate, Jan. 2010 - Sep. 2023

    FEoL Reliability Expert

    GLOBALFOUNDRIES Dresden

    Expert FEoL reliability: HCI & BTI : * FDSOI & Bulk technologies: 20nm / 28nm / 40nm * CMOS & analog devices * development of degradation models: standard devices, HV devices, LDMOS, diodes * modelling of saturation models, promt-shift effects * knowledge in device engineering

  • 3 Jahre und 7 Monate, Juni 2006 - Dez. 2009

    Projektleiter Device Reliability

    Qimonda (Dresden)

    # Fachliche Fuehrungsverantwortung für 5 Mitarbeiter (internationales Team); # Kompetenzaufbau und Kompetenzerhalt der Mitarbeiter im Bereich Device Reliability; # Fachliche Verantwortung für Freigabentscheidung bei allen Technologiequalifikationen; # Richtlinienkompetenz bei Definition der Methoden zur Zuverlässigkeitsbewertung; # Definition und Implementierung von methodischen Projekten im Rahmen der Entwicklung / Vorfeldentwicklung; # Equipmententscheidung für alle messtechnischen Einrichtungen

  • 8 Jahre und 4 Monate, Feb. 1998 - Mai 2006

    Entwicklungsingenieur (Device Reliability)

    Infineon AG

    # Prozess-Qualifikaton von DRAM-Technologien; # Methodikentwicklung zur Zuverlässigkeits-Bewertung (Stressbedingungen, Lebensdauer-Extrapolationsmodelle für Hot-Carrier-, Off-State-Degradation, NBTI); Präsentationenen auf int. Konferenzen; # Identifizierung kritischer Transistoren, Definition von Ausfallkriterien in Zusammenarbeit mit Schaltungsdesign / Simulation; # Definition der Transistor-Zuverlässigkeits-Teststrukturen; # Kompetenzerweiterung: Abordnung zur Technologieentwicklung

  • 1 Jahr und 8 Monate, Juni 1996 - Jan. 1998

    Entwicklungsingenieur (Logistik)

    Siemens AG / Sicherungstechnik

    # Zuverlässikeitsanalysen elektronischer Systeme; # Beratung des Schaltungsdesigns im Hinblick auf Ausfallminimierung; # Technische Planung von Umwelttests

  • 6 Monate, Dez. 1995 - Mai 1996

    Technischer Sachbearbeiter

    PCE Ingenieurplanungsgesellschaft mbH

    # Optimierung technischen Prüfequipments für Radar-Elektronik; # Erstellung detaillierter Prüf- und Instandsetzungsanleitungen für Radar-Elektronik

  • 2 Jahre und 6 Monate, Juni 1993 - Nov. 1995

    Entwicklungsingenieur (EEPROM)

    Siemens AG / Halbleiter

    # SW-Entwicklung zur Charakterisierung von EEPROM-Speicherzellen; # Charakterisierung von EEPROM-Speicherzellen und Peripherie-Transistoren im Rahmen der Prozessentwicklung; # Erstellung von Parameter-Messprogrammen fuer Produktionslinie

Ausbildung von Armin Muehlhoff

  • 6 Jahre und 11 Monate, Mai 1986 - März 1993

    Optoelektronik / III/V-Halbleiter

    TU München

    wiss. Mitarbeiter / wiss. Assistent: Einbindung in Forschungs- und Lehrbetrieb: # Laserdioden fuer die opt. Nachrichtentechnik: InP / InGaAsP - Epitaxie, BCRW-Technologie, DFB-/DBR-Laserdioden, Charakterisierung; # Betreuung von Vorlesungen, Übungen, Praktika / Diplomarbeiten

  • 6 Jahre und 6 Monate, Okt. 1979 - März 1986

    Elektrotechnik

    TU München

    Allgemeine Elektrotechnik; Halbleiterelektronik und Halbleitertechnologie

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

  • Französisch

    Grundlagen

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