Dr. Armin Tilke

Angestellt, Projektleiter Technologieentwicklung, Lead Principal Engineer, Infineon Technologies Dresden
Dresden, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

Technological experience
personal flexibility
high dedication
good sense of humor

Werdegang

Berufserfahrung von Armin Tilke

  • Current 14 years, since Jun 2012

    Projektleiter Technologieentwicklung, Lead Principal Engineer

    Infineon Technologies Dresden

    Ich leite Entwicklungsprojekte im Bereich Technologie/Deviceentwicklung leistungselektronischer Bauelemente, insbesondere CoolMOS und SiC Leistungs-MOSFETs

  • 2 years and 10 months, Aug 2009 - May 2012

    Staff Engineer

    Infineon Technologies Austria

    Entwicklung von leistungselektronischen Bauelemente bei Infineon Technologies Austria in Villach.

  • 1 year and 4 months, Jan 2008 - Apr 2009

    Staff Engineer

    Qimonda Dresden

    Entwicklung neuer nichtflüchtiger Halbleiterspeicher, Workpackage Leiter in einem Europäischen Entwicklungsprojekt

  • 1 year and 4 months, Sep 2006 - Dec 2007

    Staff Engineer

    Infineon Technologies Dresden

    Smart Power Technologie Entwicklung, Verantwortlich für Innovationsprojekte

  • 2 years and 3 months, Jul 2004 - Sep 2006

    Senior Engineer

    Infineon Technologies North America

    Technologie Entwicklung für die 65nm und 45nm CMOS Knoten

  • 4 years and 2 months, Jun 2000 - Jul 2004

    Senior Engineer

    Infineon Technologies Dresden

    Modul Leader Front End of Line für eine Quarter Micron BiCMOS Technologie Vorfeldentwicklung embedded Flash

  • 7 months, Dec 1999 - Jun 2000

    Engineer BiCMOS Integration

    Infineon Technologies München

Ausbildung von Armin Tilke

  • 4 years and 6 months, Sep 2009 - Feb 2014

    Elektrotechnik

    Fernuniversität Hagen

    Leistungselektronik, regenerative Energietechnik

  • 2 years, Jul 2009 - Jun 2011

    Master of Business Administration

    Robert Kennedy College

    Technology Innovation and Change

  • 2 years and 11 months, Jan 1997 - Nov 1999

    Dissertation in angwandter Halbleiterphysik

    Ludwig-Maximilians-Universität München

    Thema: Einzelelektronentransport in Silicon-on-Insulator Nanostrukturen

  • 6 years, Nov 1990 - Oct 1996

    Allgemeine Physik

    Technische Univ. München

    Halbleiter Bauelemente, Halbleiter Technologie und integrierte Schaltungen, Regenerative Energien und Solartechnologie

Sprachen

  • German

    C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)

  • English

    C1 (Fließend)

  • French

    B1-B2 (Gute Kenntnisse)

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