Dr. Armin Tilke

Angestellt, Projektleiter Technologieentwicklung, Lead Principal Engineer, Infineon Technologies Dresden
Dresden, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

Technological experience
personal flexibility
high dedication
good sense of humor

Werdegang

Berufserfahrung von Armin Tilke

  • Bis heute 13 Jahre und 2 Monate, seit Juni 2012

    Projektleiter Technologieentwicklung, Lead Principal Engineer

    Infineon Technologies Dresden

    Ich leite Entwicklungsprojekte im Bereich Technologie/Deviceentwicklung leistungselektronischer Bauelemente, insbesondere CoolMOS und SiC Leistungs-MOSFETs

  • 2 Jahre und 10 Monate, Aug. 2009 - Mai 2012

    Staff Engineer

    Infineon Technologies Austria

    Entwicklung von leistungselektronischen Bauelemente bei Infineon Technologies Austria in Villach.

  • 1 Jahr und 4 Monate, Jan. 2008 - Apr. 2009

    Staff Engineer

    Qimonda Dresden

    Entwicklung neuer nichtflüchtiger Halbleiterspeicher, Workpackage Leiter in einem Europäischen Entwicklungsprojekt

  • 1 Jahr und 4 Monate, Sep. 2006 - Dez. 2007

    Staff Engineer

    Infineon Technologies Dresden

    Smart Power Technologie Entwicklung, Verantwortlich für Innovationsprojekte

  • 2 Jahre und 3 Monate, Juli 2004 - Sep. 2006

    Senior Engineer

    Infineon Technologies North America

    Technologie Entwicklung für die 65nm und 45nm CMOS Knoten

  • 4 Jahre und 2 Monate, Juni 2000 - Juli 2004

    Senior Engineer

    Infineon Technologies Dresden

    Modul Leader Front End of Line für eine Quarter Micron BiCMOS Technologie Vorfeldentwicklung embedded Flash

  • 7 Monate, Dez. 1999 - Juni 2000

    Engineer BiCMOS Integration

    Infineon Technologies München

Ausbildung von Armin Tilke

  • 4 Jahre und 6 Monate, Sep. 2009 - Feb. 2014

    Elektrotechnik

    Fernuniversität Hagen

    Leistungselektronik, regenerative Energietechnik

  • 2 Jahre, Juli 2009 - Juni 2011

    Master of Business Administration

    Robert Kennedy College

    Technology Innovation and Change

  • 2 Jahre und 11 Monate, Jan. 1997 - Nov. 1999

    Dissertation in angwandter Halbleiterphysik

    Ludwig-Maximilians-Universität München

    Thema: Einzelelektronentransport in Silicon-on-Insulator Nanostrukturen

  • 6 Jahre, Nov. 1990 - Okt. 1996

    Allgemeine Physik

    Technische Univ. München

    Halbleiter Bauelemente, Halbleiter Technologie und integrierte Schaltungen, Regenerative Energien und Solartechnologie

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

  • Französisch

    Gut

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