
Bartosz Foltynski
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Bartosz Foltynski
III-N MOCVD process development, in particular GaN nanowires on Si
- 6 Monate, Feb. 2011 - Juli 2011
Intern - experimental part of the Master Thesis
Leibnitz Institut für innovative Mikroelektronik, Frankfurt (Oder)
MBE growth of GaN on Si
- 3 Monate, Apr. 2010 - Juni 2010
Praktikant
Elektrotechnisches Institut, Breslau, Poland
Building applications using LabView environment
- 3 Monate, Juli 2009 - Sep. 2009
Servicetechniker
Radiotechnika SERWIS, Breslau, Poland
Service activities including periodic inspections, repair and calibrate diagnostic equipment such as exhaust gas analyzers, optical opacimeters, combustible gas detectors. THD and SMD components soldering. Research and preparation documentation in English.
Ausbildung von Bartosz Foltynski
- Bis heute 13 Jahre und 5 Monate, seit Feb. 2012
Elektrotechnik
RWTH Aachen University
Nanotechnology, Thin Film Growth by MOCVD, Optoelectronics
- 4 Jahre und 10 Monate, Okt. 2006 - Juli 2011
Elektrotechnik
Wroclaw University of Technology
Optoelectronics, Microsystems and Microelectronics, Nanotechnology, Wireless Techniques, High Frequency Semiconductor Devices, Electronics Instrumentation, Optical Telecommunication, Networks, Programming Languages, Principles of Digital and Microprocessor Technology, Application of Microwaves
Sprachen
Deutsch
Fließend
Polnisch
Muttersprache
Englisch
Fließend
Italienisch
Grundlagen
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