Dr. Christian Eckl

Angestellt, Principal Engineer, Modellierung und Simulation, Infineon Technologies AG

Regensburg, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

Schwerpunkte: Theoretische Festkörper- und Halblei
Elastizitätstheorie
Strömungsmechanik
Kontinuum-
Strukturmechanik
Wärmeleitung und Thermodynamik. Berufserfahrung i
Programmierkenntnisse (Pascal
Fortran
C
C++
Java)
Skriptsprachen (awk
Perl
etc.)
Shellprogrammierung (sh
bash
csh
tcsh)
Unix/Linux System- und Softwareadministration

Werdegang

Berufserfahrung von Christian Eckl

  • Bis heute 12 Jahre und 11 Monate, seit Juli 2011

    Principal Engineer, Modellierung und Simulation

    Infineon Technologies AG

    Konzeptstudien und Begleitung der Entwicklung von LDMOS-Produkten für HF-Anwendungen sowie von innovativn RF-GaN Telchnologien; TCAD-Simulation, thermische und thermo-mechanische Simulationen.

  • 1 Jahr und 1 Monat, Juni 2010 - Juni 2011

    Physiker, Berechnungsexperte

    EagleBurgmann Germany GmbH und Co. KG

    Physikalische Grundlagen und Auslegung von gas- und flüssigkeitsgeschmierten Gleitringdichtungen für Anwendungen in verschiedensten Industriebranchen. Entwicklung, Validierung und Optimierung von Simulationsmodellen und -werkzeugen. Fehleranalyse und Produktqualität. Projektleitung und -verantwortung.

  • 8 Jahre und 3 Monate, Okt. 2000 - Dez. 2008

    Senior Staff Engineer (Simulation)

    Infineon Technologies AG / Qimonda AG

    Physikalische und elektrotechnische Simulation im Bereich DRAM-Speicherprodukte. Evaluierung, Optimierung und beschleunigte Umsetzung innovativer DRAM-Zellkonzepte. Reduktion von Entwicklungskosten und Steigerung der Produktqualität..

Ausbildung von Christian Eckl

  • 4 Jahre und 5 Monate, Juni 1996 - Okt. 2000

    Theoretische Physik

    Universität Regensburg

    Theoretische Festkörper- und Halbleiterphysik: Elastizitätstheorie, Kontinuummechanik, Programmierung, Simulation. Dissertation: "Akustische Wellen auf Festkörperoberflächen: nichtlineare Effekte und Wechselwirkung mit zweidimensionalen Elektronensystemen"

  • 5 Jahre und 9 Monate, Okt. 1990 - Juni 1996

    Physik

    Universität Regensburg

    Theoretische Festkörper- und Halbleiterphysik: Si, III-V Halbleiter, Dichtefunktionaltheorie, Simulation. Diplomarbeit: "Ab-initio-Berechnung der strukturellen, elektronischen und dynamischen Eigenschaften der freien und mit Wasserstoff bedeckten (110)-Oberflächen von GaP und InAs.

Sprachen

  • Deutsch

    -

Interessen

Digitale und analoge Fotografie
Computertechnik
Geschichte
Kunst und Malerei
Bergwandern

21 Mio. XING Mitglieder, von A bis Z