David Arutinov
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von David Arutinov
- 4 Jahre und 6 Monate, Aug. 2012 - Jan. 2017
Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS
- 5 Jahre und 2 Monate, Mai 2007 - Juni 2012
Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn (Germany, Bonn)
PhD student
- 7 Monate, Okt. 2006 - Apr. 2007
Gastwissenschaftler
European Organization for Nuclear Research - CERN (Switzerland, Geneva)
- 1 Jahr und 6 Monate, Apr. 2005 - Sep. 2006
Engineer
Joint Institute of Nuclear Research - JINR (Russia, Dubna)
- 7 Monate, Sep. 2004 - März 2005
laboratory assistant
High Energy Physics Institute of the Tbilisi State University (Georgia, Tbilisi)
- 3 Jahre und 8 Monate, Mai 2000 - Dez. 2003
IT Manager
Institute for Polling and Marketing - IPM (Georgia, Tbilisi)
Ausbildung von David Arutinov
- 5 Jahre und 2 Monate, Mai 2007 - Juni 2012
Physik - Halbleiterdetektoren
Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn (Germany, Bonn)
Doctoral thesis: “Architectural Design and Testing of the ATLAS Pixel Detector Front-End Integrated Circuit in 130nm Feature Size Process and 3D Technologies”. The defense is expected in June 2012.
- 2 Jahre und 1 Monat, Sep. 2004 - Sep. 2006
Physik - Halbleiterphysik
Tbilisi State University (Georgia, Tbilisi)
Master thesis: “Launch and Operation of the Multistrip Scintillation Detector and Multiwire Proportional Chamber”.
- 4 Jahre und 10 Monate, Sep. 1998 - Juni 2003
Physik
Tbilisi State University (Georgia, Tbilisi)
Bachelor studium
Sprachen
Deutsch
Gut
Englisch
Fließend
Russisch
Fließend
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