Dr. Faina Eßer
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Faina Eßer
- Bis heute 8 Jahre und 4 Monate, seit Feb. 2017
Entwicklungsingenieur
Osram Opto Semiconductors Regensburg
- 4 Jahre, Mai 2012 - Apr. 2016
Wissenschaftliche Mitarbeiterin / Doktorandin
Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
- 4 Monate, Apr. 2009 - Juli 2009
Praktikantin
Johann-Michael-Fischer-Gymnasium Burglengenfeld
- Unterrichtseinheiten - Projektbetreuung - Unterrichtsbeobachtung & Konzeption
Untersuchung diverser EPT Einzelpins in Bezug auf Whiskerbildung sowie Analyse von Fertigungsproblemen an Bestückungsmaschinen
- 2 Monate, Feb. 2007 - März 2007
Praktikantin
Goethe-Gymnasium Regensburg
- Übernahme von Unterrichtseinheiten - Assistenz - Unterrichtsbeobachtung
Ausbildung von Faina Eßer
- Bis heute 13 Jahre und 1 Monat, seit Mai 2012
Physik
TU Dresden
Halbleiterphysik, Spektroskopie, Terahertz, höchste gepulste Magnetfelder
- 6 Jahre und 3 Monate, Okt. 2005 - Dez. 2011
Physik
Universität Regensburg
Halbleiter-Physik IR/THz Spektroskopie Laserphysik
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Russisch
Muttersprache
Englisch
Fließend
Französisch
Grundlagen
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