Gert Jaschke

Angestellt, Prozessingenieur Plasma Prozesse, First Sensor AG
Berlin, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

Physical Vapour Deposition (PVD)
RF-DC-Sputtern
Chemical Vapour Deposition (LP- MO- PE- AP-CVD)
Atomic Layer Deposition (ALD)
Chemical Bath Deposition (CBD)
Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Halbleiterlaser InGaAsN VCSEL
High-K (Metalloxid) Transistoren und Kapazitäten
CIGS Dünnschichtsolartechnolgie
Prozessoptimierung
Halbleitertechnologie
Quality Management
Messtechnik
Statistische Prozesskontrolle (SPC)
6 Sigma (6σ)
Perovskite Silicon tandem solar cell technology

Werdegang

Berufserfahrung von Gert Jaschke

  • Current 4 years and 11 months, since Jul 2021

    Prozessingenieur Plasma Prozesse

    First Sensor AG
  • 1 year and 4 months, Jan 2020 - Apr 2021

    Prozessingenieur für Dünnschicht-Prozesse

    Oxford PV Germany GmbH

  • 8 years and 9 months, Apr 2011 - Dec 2019

    Entwicklungsingenieur PVD/CVD/ALD

    Solibro GmbH (Hanergy Holding Group)

    Optimierung und Neueinführung von dünnen transparenten Oxid-, Barriere-, Buffer-, und Metallschichten auf Glasssubstraten; Schichtabscheidende Verfahren: Physical Vapor Deposition PVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition LPCVD, Atomic Layer Deposition (ALD), Chemical Bath Deposition (CBD)

  • 1 year and 7 months, Sep 2009 - Mar 2011

    Technischer Angestellter

    Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik Berlin

    konzeptionelle Entwicklung und Evaluierung einer neuen produktionsreifen Molekular-Strahl Epitaxie-(MBE)-Anlage; Erarbeitung und Optimierung von Instandhaltungsabläufen der MBE-Anlagen; Implementierung von Abscheidungsprozessen für planares- und nanowire-Wachstum mit dem Ziel der Effizienzsteigerung von grünen Leuchtdioden

  • 3 years, May 2006 - Apr 2009

    Entwicklungsingenieur/Einzelprozessexperte

    Qimonda GmbH & Co.OHG Dresden

    Entwicklung bzw. Optimierung von Abscheidungsproszessen dünner Metalloxid-Schichten mittels Atomic Layer Deposition (ALD) und Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) Einsatzgebiet: Transitoren in der CMOS-Technologie, Kapazitäten im DRAM-Bereich, Flash-Anwendungen; Prozessüberführung aus der Entwicklung in die Produktion; Prozessüberwachung

  • 6 years and 6 months, Nov 1999 - Apr 2006

    Entwicklungsingenieur

    Infineon Technologies AG München

    12/2004 – 04/2006 Assignee bei IMEC Leuven Belgien für Matel-Gate und Metal-Oxide Abscheidung in der CMOS Technologie; Meßtechnik; 12/2000 – 11/2004 Forschungslabor für III-V Halbleiter Technologie (Molekular Strahl Epitaxie) Wartung, Inbetriebnahme und technologische Weiterentwicklung von MBE-Anlagen; Entwicklung langwelliger1500nm InGaAsN-Laser (VCSEL) zur Datenübertragung; 11/1999 – 11/2000 Meßtechnik an nichtflüchtigen ferroelektrischen (SrBiTaO) Datenspeichern

  • 4 years and 10 months, Jan 1995 - Oct 1999

    Technischer Angestellter (Werkstudent)

    SIEMENS
  • 1 year and 2 months, May 1990 - Jun 1991

    Technischer Angestellter

    Fraunhofer-Arbeitsgruppe für Integrierte Schaltungen, Erlangen

    Betreuung und Ausarbeitung von Praktikumsversuchen, Messtechnikverantwortlicher für Si und GaAs Halbleiter

Ausbildung von Gert Jaschke

  • 8 years and 1 month, Oct 1991 - Oct 1999

    Wirtschaftswissenschaften

    Fernuniversität Hagen

    Produktionswirtschaft, Operation Research, Wirtschaftsinformatik

  • 4 years and 2 months, Sep 1985 - Oct 1989

    Technische Physik

    Naturwissenschaftlich Technische Fachhochschule Prof. Dr. Grübler, Isny/Allgäu

    Physikalische Elektronik

  • 1 year and 11 months, Sep 1983 - Jul 1985

    Naturwissenschaftlich Technische Akademie Prof. Dr. Grübler Isny/Allgäu

    Erwerb der Fachhochschulreife und des Physikalisch Technischen Assistenten (PhyTA)

Sprachen

  • German

    C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)

  • English

    C1 (Fließend)

  • Dutch

    A1-A2 (Grundkenntnisse)

  • Russian

    A1-A2 (Grundkenntnisse)

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