Juergen Faul
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Juergen Faul
- Bis heute 15 Jahre und 8 Monate, seit Okt. 2009GlobalFoundries
MTS (Technology & Integration Enigineering)
- 5 Jahre und 5 Monate, Juni 2004 - Okt. 2009
Senior Principal Device Design
Qimonda
Device Design, supervisor device design, CMOS transistor development in Si-technology, Promotion to "Senior Principal" (2nd highest level on technical career)
- 4 Jahre und 2 Monate, Apr. 2000 - Mai 2004
Device Design
Infineon
Transistor Design, build up device group w/ 10 engineers from several countries
- 3 Jahre, Apr. 1997 - März 2000
Device Design
Infineon
Engineer Device Design, DRAM & CMOS Transistor development at Siemens / Infineon Dresden
- 2 Jahre und 6 Monate, Okt. 1994 - März 1997
Device Design
Qimonda
Engineer in DRAM development alliance with IBM in East Fishkill, New York, USA
Ausbildung von Juergen Faul
- 4 Jahre und 7 Monate, März 1990 - Sep. 1994
Physics
Universität Erlangen
III/V Semiconductor band structures (bulk and surface properties), photoemission
- 2 Jahre und 10 Monate, Mai 1987 - Feb. 1990
Physik
Universität Mainz
Surface Physics, solid state physics, Ellipsometry
- 2 Jahre und 8 Monate, Sep. 1984 - Apr. 1987
Physics
Universität Würzburg
Solid State Physics
Sprachen
Englisch
Fließend
Deutsch
Muttersprache
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