Juergen Faul
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Juergen Faul
- Current 16 years and 8 months, since Oct 2009GlobalFoundries
MTS (Technology & Integration Enigineering)
- 5 years and 5 months, Jun 2004 - Oct 2009
Senior Principal Device Design
Qimonda
Device Design, supervisor device design, CMOS transistor development in Si-technology, Promotion to "Senior Principal" (2nd highest level on technical career)
- 4 years and 2 months, Apr 2000 - May 2004
Device Design
Infineon
Transistor Design, build up device group w/ 10 engineers from several countries
- 3 years, Apr 1997 - Mar 2000
Device Design
Infineon
Engineer Device Design, DRAM & CMOS Transistor development at Siemens / Infineon Dresden
- 2 years and 6 months, Oct 1994 - Mar 1997
Device Design
Qimonda
Engineer in DRAM development alliance with IBM in East Fishkill, New York, USA
Ausbildung von Juergen Faul
- 4 years and 7 months, Mar 1990 - Sep 1994
Physics
Universität Erlangen
III/V Semiconductor band structures (bulk and surface properties), photoemission
- 2 years and 10 months, May 1987 - Feb 1990
Physik
Universität Mainz
Surface Physics, solid state physics, Ellipsometry
- 2 years and 8 months, Sep 1984 - Apr 1987
Physics
Universität Würzburg
Solid State Physics
Sprachen
English
C1 (Fließend)
German
C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)
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