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Dr. Julian Treu

Angestellt, Senior Manager, Infineon Technologies
München, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

Halbleiter
Zuverlässigkeit
Teamfähigkeit
Physik
Auslandserfahrung
Verantwortungsbewusstsein
Nanotechnologie
Zielstrebigkeit
Leistungsbereitschaft
Reinraum
MatLab
Fotografie

Werdegang

Berufserfahrung von Julian Treu

  • Bis heute 2 Jahre und 10 Monate, seit Sep. 2022

    Senior Manager

    Infineon Technologies

    Gruppenleiter für Package Konzept Ingenieure im Bereich Hochleistungs-IGBTs/MOSFETS (Si+SiC) und Gate Treiber (Si, SOI,...) für industrielle Anwendungen

  • 2 Jahre und 9 Monate, Dez. 2019 - Aug. 2022

    Senior Expert

    Infineon Technologies

    Senior expert for package concept engineering in the field of IGBTs

  • 3 Monate, Sep. 2019 - Nov. 2019

    Senior Engineer

    Qualcomm | RF360 Europe GmbH

    Development of high-frequency filter e.g. for the use in automotive applications

  • 4 Monate, Juni 2019 - Sep. 2019

    Senior Engineer

    RF360 Europe GmbH - A Qualcomm TDK Joint Venture

    Development of high-frequency filter e.g. for the use in automotive applications

  • 2 Jahre und 5 Monate, Feb. 2017 - Juni 2019

    Entwicklungsingenieur

    RF360 Europe GmbH - A Qualcomm TDK Joint Venture

    Development of high-frequency filter e.g. for the use in automotive applications

  • 6 Monate, Aug. 2016 - Jan. 2017

    Entwicklungsingenieur

    EPCOS AG

  • 4 Jahre, Juli 2012 - Juni 2016

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter / Doktorand

    Technische Universität München

    Promotion zum Thema: "Growth and Characterization of InGaAs-based Nanowire-Heterostructures"

  • 1 Jahr und 1 Monat, Mai 2011 - Mai 2012

    Diplomand

    Julius-Maximilians-Universität Würzburg

    Wachstum und Analyse von Quantenpunkten mit stark reduzierter Feinstrukturaufspaltung

  • 5 Monate, Jan. 2010 - Mai 2010

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Lawrence Berkeley National Laboratory

    Simulation, Design, Herstellung und Messung von plasmonischen Strukturen, resonant im mittleren Infrarot

  • 6 Monate, Aug. 2009 - Jan. 2010

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    University of California, Berkeley

    VCSEL basierte Wellenlängenmultiplex passive optische Netzwerk Verfahren (WDM-PON)

  • 3 Monate, Feb. 2009 - Apr. 2009

    Werkstudent

    WITTENSTEIN AG

    Entwicklung und Überprüfung eines mathematischen Modells für den Energieübertrag induktiv gekoppelter Implantate

Ausbildung von Julian Treu

  • 4 Jahre, Juli 2012 - Juni 2016

    Physik

    Technische Universität München

    Semiconductors, Material science, Nanotechnology, Device fabrication, Epitaxy, Opto-electronics

  • 5 Jahre und 8 Monate, Okt. 2006 - Mai 2012

    Nanotechnologie

    Julius-Maximilians-Universität Würzburg

    Semiconductors, Cleanroom, Epitaxy, Spectroscopy, Nanotechnology, Biophysics

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

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