
Dr. Mahmoud Al Humaidi
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Mahmoud Al Humaidi
- Bis heute 2 Jahre und 7 Monate, seit Okt. 2022AZUR SPACE Solar Power GmbH
Expert Technology Development Epitaxy
Semiconductor materials development of III-V multi-junction solar cells for space applications • MOVPE process optimization of the material yield and quality for high performance solar cells • Planning and designing test structures and realizing the characterization methods • Material analysis by X-ray diffraction (XRD), Photolumiscence (PL), Electrochemical Capacitance-Voltage (ECV) and Atomic force microscopy (AFM) • Monitoring the solar cell performance and correlate with the material properties
- 2 Jahre, Nov. 2020 - Okt. 2022
Research Scientist
KIT - Karlsruher Institut für Technologie
- Fabrication of semiconductor (GaAs) nanowires on Si substrates using vapor-liquid-solid mechanism (VLS) in molecular beam epitaxy (MBE) at KIT-Karlsuhe) - In-situ investigation of the crystal structure of the NWs during growth using X-ray diffraction (XRD) technique by means of synchrotron radiation -In-situ XRD measurement of the NWs during heteroepitaxial growth of (In,Ga)As shell on GaAs NW side walls and monitoring the evolution of NW bending that results from the induced lattice-mismatch strain
- 2 Jahre und 1 Monat, Okt. 2020 - Okt. 2022
Postdoctoral Researcher
KIT - Karlsruher Institut für Technologie
- 1 Jahr und 1 Monat, Okt. 2020 - Okt. 2021
Researcher
KIT - Karlsruher Institut für Technologie
- Fabrication of semiconductor (GaAs) nanowires on Si substrates using vapor-liquid-solid mechanism (VLS) in molecular beam epitaxy (MBE) at KIT-Karlsuhe) - In-situ investigation of the crystal structure of the NWs during growth using X-ray diffraction (XRD) technique by means of synchrotron radiation -In-situ XRD measurement of the NWs during heteroepitaxial growth of (In,Ga)As shell on GaAs NW side walls and monitoring the evolution of NW bending that results from the induced lattice-mismatch strain
- Fabrication of semiconductor (GaAs) nanowires on Si substrates using vapor-liquid-solid mechanism (VLS) in molecular beam epitaxy (MBE) at KIT-Karlsuhe) - In-situ investigation of the crystal structure of the NWs during growth using X-ray diffraction (XRD) technique by means of synchrotron radiation -In-situ XRD measurement of the NWs during heteroepitaxial growth of (In,Ga)As shell on GaAs NW side walls and monitoring the evolution of NW bending that results from the induced lattice-mismatch strain
- Supervisor of X-ray reflectometery (XRR) experiment - Laboratory preparator of laser laboratory for ”Visible light Laue diffraction” experiment
- 1 Jahr und 1 Monat, März 2012 - März 2013
Physic and mathematics teacher
Ratlah intermediate school, Al-Raqqa, Syria
Ausbildung von Mahmoud Al Humaidi
- 4 Jahre und 2 Monate, Sep. 2017 - Okt. 2021
Experimental Physics
Universität Siegen
- 3 Jahre und 7 Monate, Apr. 2013 - Okt. 2016
Physics
Universität Siegen
Structural and Spectroscopic Analysis of Lanthanide doped Nanoparticles
- 6 Jahre und 6 Monate, Okt. 2005 - März 2012
Physics
Tishreen University
Sprachen
Englisch
Fließend
Deutsch
Grundlagen
Arabisch
Muttersprache
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