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Dr. Mahmoud Al Humaidi

Angestellt, Expert Technology Development Epitaxy, AZUR SPACE Solar Power GmbH
Heilbronn, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

Structure
Semiconductor
Technics
X-Ray
Scanning Electron Microscopy
X-ray structure analysis
epitaxy
Molecular beam epitaxy
ultrahigh vacuum
Crystallography
Material characterization
Communication Skills
MatLab
Material Science
Data Analysis

Werdegang

Berufserfahrung von Mahmoud Al Humaidi

  • Bis heute 2 Jahre und 7 Monate, seit Okt. 2022

    Expert Technology Development Epitaxy

    AZUR SPACE Solar Power GmbH

    Semiconductor materials development of III-V multi-junction solar cells for space applications • MOVPE process optimization of the material yield and quality for high performance solar cells • Planning and designing test structures and realizing the characterization methods • Material analysis by X-ray diffraction (XRD), Photolumiscence (PL), Electrochemical Capacitance-Voltage (ECV) and Atomic force microscopy (AFM) • Monitoring the solar cell performance and correlate with the material properties

  • 2 Jahre, Nov. 2020 - Okt. 2022

    Research Scientist

    KIT - Karlsruher Institut für Technologie

    - Fabrication of semiconductor (GaAs) nanowires on Si substrates using vapor-liquid-solid mechanism (VLS) in molecular beam epitaxy (MBE) at KIT-Karlsuhe) - In-situ investigation of the crystal structure of the NWs during growth using X-ray diffraction (XRD) technique by means of synchrotron radiation -In-situ XRD measurement of the NWs during heteroepitaxial growth of (In,Ga)As shell on GaAs NW side walls and monitoring the evolution of NW bending that results from the induced lattice-mismatch strain

  • 2 Jahre und 1 Monat, Okt. 2020 - Okt. 2022

    Postdoctoral Researcher

    KIT - Karlsruher Institut für Technologie

  • 1 Jahr und 1 Monat, Okt. 2020 - Okt. 2021

    Researcher

    KIT - Karlsruher Institut für Technologie

    - Fabrication of semiconductor (GaAs) nanowires on Si substrates using vapor-liquid-solid mechanism (VLS) in molecular beam epitaxy (MBE) at KIT-Karlsuhe) - In-situ investigation of the crystal structure of the NWs during growth using X-ray diffraction (XRD) technique by means of synchrotron radiation -In-situ XRD measurement of the NWs during heteroepitaxial growth of (In,Ga)As shell on GaAs NW side walls and monitoring the evolution of NW bending that results from the induced lattice-mismatch strain

  • 3 Jahre und 10 Monate, Dez. 2016 - Sep. 2020

    Researcher

    Universität Siegen

    - Fabrication of semiconductor (GaAs) nanowires on Si substrates using vapor-liquid-solid mechanism (VLS) in molecular beam epitaxy (MBE) at KIT-Karlsuhe) - In-situ investigation of the crystal structure of the NWs during growth using X-ray diffraction (XRD) technique by means of synchrotron radiation -In-situ XRD measurement of the NWs during heteroepitaxial growth of (In,Ga)As shell on GaAs NW side walls and monitoring the evolution of NW bending that results from the induced lattice-mismatch strain

  • 1 Jahr, Dez. 2015 - Nov. 2016

    Research and Teaching Assistant

    Universität Siegen

    - Supervisor of X-ray reflectometery (XRR) experiment - Laboratory preparator of laser laboratory for ”Visible light Laue diffraction” experiment

  • 1 Jahr und 1 Monat, März 2012 - März 2013

    Physic and mathematics teacher

    Ratlah intermediate school, Al-Raqqa, Syria

Ausbildung von Mahmoud Al Humaidi

  • 4 Jahre und 2 Monate, Sep. 2017 - Okt. 2021

    Experimental Physics

    Universität Siegen

  • 3 Jahre und 7 Monate, Apr. 2013 - Okt. 2016

    Physics

    Universität Siegen

    Structural and Spectroscopic Analysis of Lanthanide doped Nanoparticles

  • 6 Jahre und 6 Monate, Okt. 2005 - März 2012

    Physics

    Tishreen University

Sprachen

  • Englisch

    Fließend

  • Deutsch

    Grundlagen

  • Arabisch

    Muttersprache

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