Dr. Martin Zimprich
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Martin Zimprich
- 2 Jahre und 2 Monate, Juni 2022 - Juli 2024
Head of Automation Product Dimensioning und Technical System Manager
VITRONIC Dr.-Ing. Stein Bildverarbeitungssysteme GmbH
Personelle Verantwortung für die Entwicklung von 3D Vermessungsanlagen. Technische und fachliche Gesamtverantwortung für die In-Motion Produktlinie zur automatischen Vermessung, Code- und Klarschriftlesung auf bewegten Objekten. Budgetverantwortung für die Produktpflege.
- 1 Jahr und 6 Monate, Jan. 2021 - Juni 2022
Head of Automation Product Dimensioning und Lead Developer
Vitronic Dr.-Ing. Stein Bildverarbeitungssysteme GmbH
- 5 Jahre und 10 Monate, Apr. 2015 - Jan. 2021
Teamleiter
VITRONIC Dr.-Ing. Stein Bildverarbeitungssysteme GmbH
Teamleiter Softwareentwicklung für 3D-Vermessungsanwendungen im Bereich Logistik
- 9 Monate, Aug. 2014 - Apr. 2015
Entwicklungsingenieur
VITRONIC Dr.-Ing. Stein Bildverarbeitungssysteme GmbH
Softwareentwicklung im Bereich 3D-Volumenvermessung
- 2 Monate, Juli 2014 - Aug. 2014
wissenschaftlicher Mitarbeiter
NAsP III/V GmbH, Marburg
Wachstum und strukturelle Charakterisierung von III/V Halbleiter-Heterostrukturen auf Silizium
- 4 Jahre und 1 Monat, Dez. 2009 - Dez. 2013
wissenschaftlicher Mitarbeiter
Philipps-Universität Marburg
Mitarbeit in mehreren Forschungsprojekten zu CVD und Halbleiterlasern mit Industriepartnern. Koordination konkreter Forschungsaktivitäten. Schwerpunkt: Silicon Photonics, MOVPE, Heteroepitaxie, Epitaxie von III/V Halbleitern auf Silizium
- 3 Monate, Aug. 2007 - Okt. 2007
Sommerstudent
IBM Research
Programmierung eines Messplatzes für Halbleiterproben mit high-k Dielektrika
- 2 Monate, Juni 2004 - Juli 2004
Praktikant
Viessmann Werke GmbH & Co KG
Praktikant in der Elektronikfertigung Herstellung, Prüfung, Reparatur von elektronischen Schaltungen Konzeption von Prüfaufbauten
Ausbildung von Martin Zimprich
- 3 Jahre und 11 Monate, Feb. 2010 - Dez. 2013
Physik
Philipps-Universität Marburg
Halbleiterphysik, III/V-Wachstum mittels MOVPE, Annealing mittels RTA, Herstellung und Charakterisierung von Halbleiterlasern auf Silizium, CMOS-Kompatibilität
- 5 Jahre, Okt. 2004 - Sep. 2009
Physik
Philipps-Universität Marburg
Halbleiterphysik: Charakterisierung von Halbleiterlasern (III/V Halbleiter)
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Englisch
Fließend
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