Dr. Michael Doescher
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Michael Doescher
- Bis heute 10 Jahre und 5 Monate, seit Dez. 2014NXP Semiconductors Germany
Development Manager Product Engineering
- 4 Jahre und 11 Monate, Jan. 2010 - Nov. 2014
Director Industrial COGS Management
NXP-Semiconductors
Verantwortlich für Einhaltung der Unternehmensziele im Bereich Gross Margin und COGS (Cost Of Goods Sold) für den Unternehmensbereich "Identification", Koordination aller cost down Maßnahmen. Verantwortlich für Prozess-Ausbeuten, Transfers von Fertigungsprozessen, Reduzierung von Testkosten und Packaging-Kosten, Prozess-Ramp-ups, 6sigma, DfX
- 3 Jahre und 5 Monate, Aug. 2006 - Dez. 2009
Manufacturing / Operations Manager
NXP-Semiconductors
Mitglied des Product Line Management Teams, Verantwortlich für alle Belange der Massenfertigung (Ausbeute, Kosten, Ramp-ups&Transfers, Kapazität, Preisverhandlungen mit Zulieferern, Supply roadmap and strategy). Leitung einer Gruppe von Produktingenieuren.
- 4 Jahre und 5 Monate, Apr. 2002 - Aug. 2006
Product Engineer
NXP Semiconductors / Philips Semiconductors
Zustängig für die Massenproduktion, mit Fokus auf Ausbeuteverbesserung, Einführung eines Production Monitoring Systems, Durchführung von Verbesserungsprojekten, Kostenersparnis, Suppliermanagement, Enge Schnittstellen mit Qualität, Entwicklung, Engineering, Marketing, Logistik
- 4 Jahre und 1 Monat, Apr. 1998 - Apr. 2002
Development Engineer
Philips Semiconductors
Entwicklung von Magnetfeldsensoren, Projektmanagement.
- 4 Jahre und 5 Monate, Dez. 1993 - Apr. 1998
wissenschaftlicher Mitarbeiter
Technische Universität Hamburg Harburg
Entwicklung eines neuartigen Herstellungsverfahrens für solarzellentaugliches Silizium. In Kooperation mit der Bayer AG, Krefeld Entwicklung von beta-FeSi2-Dünnschichten für die Optische Nachrichtentechnik und Photovoltaik. Abschluß: Promotion zum Dr. Ing
- 1 Jahr und 1 Monat, Dez. 1992 - Dez. 1993
Physiker
selbständig
Selbständiger Physiker im Auftrag der Bayer AG, Krefeld, Schwerpunkt: Qualitätskontrolle der Solarsilizium-Produktion
Ausbildung von Michael Doescher
- 4 Jahre und 1 Monat, Apr. 1994 - Apr. 1998
Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnologie
Technische Universität Hamburg-Harburg
Abscheideverfahren, Analyseverfahren, Kristallisation, halbleitende und leitfähige Silizidschichten. Promotion zum Dr. Ing
- 4 Jahre und 2 Monate, Okt. 1988 - Nov. 1992
Physik
Universität Hamburg
Halbleiterphysik, Hochenergiephysik, Photovoltaik
- 2 Jahre und 1 Monat, Okt. 1986 - Okt. 1988
Meteorologie
Universität Hamburg
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Englisch
Fließend
Französisch
Gut
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