Dr. Michael Doescher

Angestellt, Development Manager Product Engineering, NXP Semiconductors Germany
Hamburg, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

Elektrotechnik / Halbleitertechnologie
Prozeßtechnologie
Test
Packaging von ICs
Kreative Lösungen zur Kostenreduzierung und Optimi
Controlling
>10 Jahre Führungserfahrung
6sigma Black Belt
DfX
Projektmanagement (Prince2)
Internationale Teamarbeit
Hohe Zielorientierung Dynamik und Leistungsbereits

Werdegang

Berufserfahrung von Michael Doescher

  • Current 11 years and 6 months, since Dec 2014

    Development Manager Product Engineering

    NXP Semiconductors Germany
  • 4 years and 11 months, Jan 2010 - Nov 2014

    Director Industrial COGS Management

    NXP-Semiconductors

    Verantwortlich für Einhaltung der Unternehmensziele im Bereich Gross Margin und COGS (Cost Of Goods Sold) für den Unternehmensbereich "Identification", Koordination aller cost down Maßnahmen. Verantwortlich für Prozess-Ausbeuten, Transfers von Fertigungsprozessen, Reduzierung von Testkosten und Packaging-Kosten, Prozess-Ramp-ups, 6sigma, DfX

  • 3 years and 5 months, Aug 2006 - Dec 2009

    Manufacturing / Operations Manager

    NXP-Semiconductors

    Mitglied des Product Line Management Teams, Verantwortlich für alle Belange der Massenfertigung (Ausbeute, Kosten, Ramp-ups&Transfers, Kapazität, Preisverhandlungen mit Zulieferern, Supply roadmap and strategy). Leitung einer Gruppe von Produktingenieuren.

  • 4 years and 5 months, Apr 2002 - Aug 2006

    Product Engineer

    NXP Semiconductors / Philips Semiconductors

    Zustängig für die Massenproduktion, mit Fokus auf Ausbeuteverbesserung, Einführung eines Production Monitoring Systems, Durchführung von Verbesserungsprojekten, Kostenersparnis, Suppliermanagement, Enge Schnittstellen mit Qualität, Entwicklung, Engineering, Marketing, Logistik

  • 4 years and 1 month, Apr 1998 - Apr 2002

    Development Engineer

    Philips Semiconductors

    Entwicklung von Magnetfeldsensoren, Projektmanagement.

  • 4 years and 5 months, Dec 1993 - Apr 1998

    wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Technische Universität Hamburg Harburg

    Entwicklung eines neuartigen Herstellungsverfahrens für solarzellentaugliches Silizium. In Kooperation mit der Bayer AG, Krefeld Entwicklung von beta-FeSi2-Dünnschichten für die Optische Nachrichtentechnik und Photovoltaik. Abschluß: Promotion zum Dr. Ing

  • 1 year and 1 month, Dec 1992 - Dec 1993

    Physiker

    selbständig

    Selbständiger Physiker im Auftrag der Bayer AG, Krefeld, Schwerpunkt: Qualitätskontrolle der Solarsilizium-Produktion

Ausbildung von Michael Doescher

  • 4 years and 1 month, Apr 1994 - Apr 1998

    Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnologie

    Technische Universität Hamburg-Harburg

    Abscheideverfahren, Analyseverfahren, Kristallisation, halbleitende und leitfähige Silizidschichten. Promotion zum Dr. Ing

  • 4 years and 2 months, Oct 1988 - Nov 1992

    Physik

    Universität Hamburg

    Halbleiterphysik, Hochenergiephysik, Photovoltaik

  • 2 years and 1 month, Oct 1986 - Oct 1988

    Meteorologie

    Universität Hamburg

Sprachen

  • German

    C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)

  • English

    C1 (Fließend)

  • French

    B1-B2 (Gute Kenntnisse)

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