
Dr. Michael Doescher
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Michael Doescher
- Current 11 years and 6 months, since Dec 2014NXP Semiconductors Germany
Development Manager Product Engineering
- 4 years and 11 months, Jan 2010 - Nov 2014
Director Industrial COGS Management
NXP-Semiconductors
Verantwortlich für Einhaltung der Unternehmensziele im Bereich Gross Margin und COGS (Cost Of Goods Sold) für den Unternehmensbereich "Identification", Koordination aller cost down Maßnahmen. Verantwortlich für Prozess-Ausbeuten, Transfers von Fertigungsprozessen, Reduzierung von Testkosten und Packaging-Kosten, Prozess-Ramp-ups, 6sigma, DfX
- 3 years and 5 months, Aug 2006 - Dec 2009
Manufacturing / Operations Manager
NXP-Semiconductors
Mitglied des Product Line Management Teams, Verantwortlich für alle Belange der Massenfertigung (Ausbeute, Kosten, Ramp-ups&Transfers, Kapazität, Preisverhandlungen mit Zulieferern, Supply roadmap and strategy). Leitung einer Gruppe von Produktingenieuren.
- 4 years and 5 months, Apr 2002 - Aug 2006
Product Engineer
NXP Semiconductors / Philips Semiconductors
Zustängig für die Massenproduktion, mit Fokus auf Ausbeuteverbesserung, Einführung eines Production Monitoring Systems, Durchführung von Verbesserungsprojekten, Kostenersparnis, Suppliermanagement, Enge Schnittstellen mit Qualität, Entwicklung, Engineering, Marketing, Logistik
- 4 years and 1 month, Apr 1998 - Apr 2002
Development Engineer
Philips Semiconductors
Entwicklung von Magnetfeldsensoren, Projektmanagement.
- 4 years and 5 months, Dec 1993 - Apr 1998
wissenschaftlicher Mitarbeiter
Technische Universität Hamburg Harburg
Entwicklung eines neuartigen Herstellungsverfahrens für solarzellentaugliches Silizium. In Kooperation mit der Bayer AG, Krefeld Entwicklung von beta-FeSi2-Dünnschichten für die Optische Nachrichtentechnik und Photovoltaik. Abschluß: Promotion zum Dr. Ing
- 1 year and 1 month, Dec 1992 - Dec 1993
Physiker
selbständig
Selbständiger Physiker im Auftrag der Bayer AG, Krefeld, Schwerpunkt: Qualitätskontrolle der Solarsilizium-Produktion
Ausbildung von Michael Doescher
- 4 years and 1 month, Apr 1994 - Apr 1998
Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnologie
Technische Universität Hamburg-Harburg
Abscheideverfahren, Analyseverfahren, Kristallisation, halbleitende und leitfähige Silizidschichten. Promotion zum Dr. Ing
- 4 years and 2 months, Oct 1988 - Nov 1992
Physik
Universität Hamburg
Halbleiterphysik, Hochenergiephysik, Photovoltaik
- 2 years and 1 month, Oct 1986 - Oct 1988
Meteorologie
Universität Hamburg
Sprachen
German
C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)
English
C1 (Fließend)
French
B1-B2 (Gute Kenntnisse)
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