Dr. Sönke Habenicht

Angestellt, Director, SiC Power Development, R&D External Relations, Nexperia Germany GmbH
Hamburg, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

Forschung & Technologie
Elektrotechnik
Halbleitertechnologie
Nanotechnologie
Produktentwicklung
Festkörperphysik
Materialwissenschaften
Projektmanagement
Umweltmanagement
ISO14001
EcoDesign
EU-Förder-Projekte
CATRENE
ARTEMIS
ENIAC
Organisation
Führung
SiC Technologie

Werdegang

Berufserfahrung von Sönke Habenicht

  • Bis heute 3 Jahre und 7 Monate, seit Apr. 2022

    Director, SiC Power Development, R&D External Relations

    Nexperia Germany GmbH

    Lead architect/Technical Director - SiC power development Head of Technology Office SiC power device development Development of power device concept and process platform Strategic development of SiC R&D platform & Ecosystem with external partners Head of Public Collaborative Programs/Public funded projects

  • 1 Jahr und 2 Monate, Feb. 2021 - März 2022

    Technical Head SiC power development, Head of Public Collaborative Programs

    Nexperia Germany GmbH

    Lead architect - SiC power development Head of Technology Office SiC power device development Development of power device concept and process platform Strategic development of SiC R&D platform & Ecosystem with external partners Head of Public Collaborative Programs/Public funded projects

  • 2 Jahre und 9 Monate, Juni 2018 - Feb. 2021

    Senior Principal - Research, Development & External Relations

    Nexperial Germany GmbH

    -Leitung internationaler Entwicklungsprojekte -Strategie- & Roadmapentwicklung -Management interner Innovationsprozesse -Firmenvertreter in EU-Förderprojekten für CATRENE, ECSEL, Horizon2020

  • 1 Jahr und 5 Monate, Feb. 2017 - Juni 2018

    Innovation, Technology & External Relations

    Nexperia Germany GmbH

    -Leitung internationaler Entwicklungsprojekte -Strategie- & Roadmapentwicklung -Management interner Innovationsprozesse -Firmenvertreter in EU-Förderprojekten für CATRENE, ECSEL, Horizon2020

  • 5 Jahre und 5 Monate, Okt. 2011 - Feb. 2017

    Principal - Innovation & Technology management

    NXP Semiconductors Germany GmbH

    -Leitung internationaler Entwicklungsprojekte -Strategie- & Roadmapentwicklung -Management interner Innovationsprozesse -Leitung Umweltmanagement Innovation & Technologie -Firmenvertreter in EU-Förderprojekten

  • 5 Jahre und 1 Monat, Sep. 2006 - Sep. 2011

    Senior Development Engineer/Project Manager

    NXP Semiconductors Germany GmbH

    -Konzeption und Entwicklung neuer Produktgruppen -Leitung internationaler Entwicklungsprojekte -Management interner Innovationsprozesse -Leitung Umweltmanagement Innovation & Technologie -Firmenvertreter in EU-Förderprojekten

  • 6 Jahre und 1 Monat, Aug. 2000 - Aug. 2006

    Development Engineer

    Philips Semiconductors Germany GmbH

    -Halbleiterentwicklung, Chip-Design -Ermittlung individueller Kundenbedürfnisse -Spezifikation von Produkten und Komponenten -Projektleitung

  • 1 Jahr und 2 Monate, Juli 1999 - Aug. 2000

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Georg-August Universität Göttingen

    -Forschungstätigkeit im Rahmen der Promotion -Teilprojektleiter Sonderforschungsbereich -Mitglied im Institutsvorstand -Stellvertretende Leitung physikalisches Praktikum/Hauptfachstudenten -Mitglied mehrerer Berufungskommissionen

Ausbildung von Sönke Habenicht

  • 4 Jahre, Juli 1995 - Juni 1999

    Physik

    Georg-August Universität Göttingen

    Festkörperphysik, Oberflächenphysik, Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Ionenimplantation und -erosion von Festkörpern und Oberflächen, Rastertunnelmikroskopie, Rasterelektronenmikroskopie

  • 1 Jahr und 5 Monate, Feb. 1994 - Juni 1995

    Physik

    Georg-August Universität Göttingen, ISOLDE Lab CERN Genf/Schweiz

    Festkörperphysik, Ionenbestrahlung von Festkörpern, Radioaktive Tracer in Festkörpern, Spektroskopie, Hochfrequenzelektronik

  • 4 Jahre und 9 Monate, Okt. 1990 - Juni 1995

    Physik

    Georg-August Universität Göttingen

    Festkörperphysik, Ionenimplantation, radiokative Tracer in Festkörpern

Sprachen

  • Deutsch

    -

  • Englisch

    -

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