Dr. Thomas Altebaeumer
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Thomas Altebaeumer
- Bis heute 2 Jahre und 8 Monate, seit Okt. 2022
Director of Innovation
Oxford Instruments
- 1 Jahr und 3 Monate, Aug. 2021 - Okt. 2022
IP Strategy Director
Renesas Electronics
- 1 Jahr und 11 Monate, Okt. 2019 - Aug. 2021
IP Strategy Director
Dialog Semiconductor
- 3 Jahre und 6 Monate, Apr. 2016 - Sep. 2019
Senior IP Strategy Manager
Dialog Semiconductor
Developing and managing corporate IP portfolio
- 4 Jahre und 8 Monate, Aug. 2011 - März 2016
IP Strategy Manager
Dialog Semiconductor
Manage and develop corporate IP portfolio
- 1 Jahr und 2 Monate, Nov. 2011 - Dez. 2012
Independent Expert
European Commission
- 2 Jahre und 4 Monate, Apr. 2009 - Juli 2011
Research Assistant
University of Oxford
Organic photovoltaic devices, graphene, autoradiography
- 3 Jahre und 4 Monate, Sep. 2005 - Dez. 2008
Senior Scientist and Patent Leader
Sharp Laboratories of Europe
Silicon-on-glass/silicon-on-polymer technologies: process flow development, device characterisation, development of patent porfolio
- 1 Jahr und 11 Monate, Okt. 2003 - Aug. 2005
PostDoc
IBM Zurich Research Laboratory
Data storage devices, thermomechanical nanoindentations and polymer physics
- 1 Jahr und 6 Monate, Mai 2002 - Okt. 2003
Wissenschaftlicher Mitarbeiter (Scientific Associate)
University of Tübingen
Nanobiotechnology
- 2 Jahre, Okt. 1996 - Sep. 1998
Studentische und wissenschaftliche Hilfskraft (Scientific Assistant)
RWTH Aachen
Dielectric materials
- 4 Monate, Mai 1996 - Aug. 1996
Industriepraktikant
Zentrum Mikroelektronik Dresden
Gate dielectrics
- 7 Monate, Okt. 1995 - Apr. 1996
Research Student
National Microelectronics Research Centre Ireland
Laser interferometry
Ausbildung von Thomas Altebaeumer
- 8 Monate, Nov. 2010 - Juni 2011
Technology and Innovation Strategy
Saïd Business School, University of Oxford
- 1 Jahr, Okt. 2010 - Sep. 2011
Gewerblicher Rechtsschutz (Intellectual Property)
University of Hagen
- 3 Jahre und 7 Monate, Okt. 1998 - Apr. 2002
Physics
University of Cambridge
Micro- and Nanofabrication, Silicon-based Nanoscale Devices
- 6 Jahre und 2 Monate, Okt. 1991 - Nov. 1997
Electrical Engineering
RWTH Aachen
Semiconductor Technology, Semiconductor Devices, Solid State Physics
Sprachen
Englisch
Fließend
Deutsch
Muttersprache
Französisch
Grundlagen
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