Dr. Thomas Hahn

macht ein Sabbatical.

Bis 2023, Integration Engineer, AVANCIS GmbH
Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

Compound Semiconductors
Chalcopyrites
Thin Films
Off- and In-Line Metrology
Photovoltaics
Thin-Film PV
PV Fab Planning
Teaching
Scientific Project Management
Solid State Physics
Ion Beam Physics
Surfaces and interfaces
Data Analysis
Statistical Analysis

Werdegang

Berufserfahrung von Thomas Hahn

  • 6 Jahre und 9 Monate, Sep. 2016 - Mai 2023

    Integration Engineer

    AVANCIS GmbH

    09/16 - 05/ 23 as Senior Integration Engineer: Monitoring of production line performance; uncovering of potentials for enhancement of key performance indices; development of algorithms for the prediction of power transitions in thin-film photovoltaic modules. 08/16 - 12/18 as Project Leader Integration: Supervision of the Ramp-Up progress of a turn-key project in Asia; overall project and material flow planning until Ramp-Up; training of local employees in data analysis and data mining.

  • 4 Jahre und 4 Monate, Mai 2012 - Aug. 2016

    Team Leader Analytics and Simulations

    Bosch Solar CISTech GmbH

    Team Leader Analysis & Simulations

  • 3 Jahre und 9 Monate, Aug. 2008 - Apr. 2012

    Group Leader Metrology Thin-Film

    centrotherm photovoltaics AG

    Director In- and Off-Line Metrology

  • 8 Jahre und 9 Monate, Nov. 1999 - Juli 2008

    Scientist Assistance

    Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörperphysik

    Assistant Lecturer (C1)

  • 1 Jahr und 6 Monate, Mai 1998 - Okt. 1999

    Post-Doc

    Universität Stuttgart, Institut für physikalische Elektronik

    Lab-Leader Surface Science (XPS/UPS)

  • 1 Jahr, Jan. 1997 - Dez. 1997

    Post-Doc

    Georg-August-Universität Göttingen, II. Physikalisches Institut

    Thin Film Growth,. PVD, Epitaxy, Silicon Surfaces, Chalcopyrites, Heterojunctions

Ausbildung von Thomas Hahn

  • 3 Jahre und 9 Monate, Apr. 1993 - Dez. 1996

    Solid-state physics

    Georg-August-Universität Göttingen, II. Physikalisches Institut

    Molecular Beam Epitaxy of Chalcopyrites on Silicon-Substrates, Surface Termination of sc-Silicon, Nuclear and Ion-Beam Methods in Solid-State Physics (PAC, RBS, PIXE, NRA)

  • 6 Jahre und 10 Monate, Apr. 1986 - Jan. 1993

    Physik

    Technische Hochschule Darmstadt

    Solid-State Physics, Low-Temperature Physics, High-Tc Superconductors

Sprachen

  • Englisch

    Fließend

  • Französisch

    Grundlagen

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