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Dr. Yvo Barnscheidt

Angestellt, Ingenieur Integration und Transfer, Vishay Siliconix Itzehoe GmbH
Hannover, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

Microsoft Office Anwendungen
OriginLab
CAD (Basics)
Python (Datenanalyse)
Teamfähigkeit
Selbstorganisation
Nanoelektronik
Halbleiterphysik
Nanotechnologie
Materialwissenschaften
Halbleitertechnologie
Silizium
Germanium
Mikroelektronik
Reinraumtechnik
Vakuumtechnik
Präsentationsfähigkeit
Kristallographie
Transmissionselektronenmikroskopie
Röntgendiffraktometrie
Halbleiteranalytik

Werdegang

Berufserfahrung von Yvo Barnscheidt

  • Bis heute 3 Jahre, seit Juni 2022

    Ingenieur Integration und Transfer

    Vishay Siliconix Itzehoe GmbH
  • 3 Jahre und 5 Monate, März 2018 - Juli 2021

    Doktorand, Projektingenieur

    Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik, Uni Hannover

    Selbstorganisiertes Forschen am epitaktischen Germaniumwachstum. Teamarbeit an aktuellen Forschungsfragen. Betreuung und Koordination von mehreren Abschlussarbeiten und stud. Hilfskräften. Praktikumsbetruung. Präsentation der Ergebnisse auf Seminaren, nationalen und internationalen Tagungen.

  • 5 Monate, Apr. 2014 - Aug. 2014

    Praktikum

    Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG

    Praktikum in den Bereichen Clean & Inspection - Entwicklung einer Software zur schnellen Datenanalyse. Dazugehöriges Datenmonitoring, selbstorganisiertes Arbeiten. - Mitarbeit in Prozessoptimierung (Yield), Datenanalyse in R, statistische Versuchsplanung (DoE)

Ausbildung von Yvo Barnscheidt

  • 3 Jahre und 5 Monate, März 2018 - Juli 2021

    Elektrotechnik

    Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover

    Abschlussnote: Mit Auszeichnung Thematik: Reduktion der Durchstoßversetzungsdichte in epitaktischen Germaniumschichten Spezialisierte Kenntnisse in Oberflächenphysik, Kristallwachstum, Halbleiterphysik, diverse Analytikmethoden (TEM, XRD, AFM, SEM, Raman-Spektroskopie, XPS, RHEED)

  • 1 Jahr und 10 Monate, Okt. 2015 - Juli 2017

    Nanotechnologie

    Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover

    Abschlussnote 1,3 mit Auszeichnung Vertiefung Nanoelektronik, Halbleiterphysik, Laserphysik Masterarbeit über: Germaniumepitaxie auf Silizium, Herstellung von Ge-Photodioden

  • 4 Jahre, Okt. 2011 - Sep. 2015

    Nanotechnologie

    Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover

    Abschlussnote: 2,5 Vertiefung Elektrotechnik und Physik Bachelorarbeit über die Herstellung und Charakterisierung von Si pn-Mesadioden

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

  • Französisch

    Gut

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