Bernd Hintze

ist offen für Projekte. 🔎

Freiberuflich, Consultant, Bernd Hintze
01465 Langebrück, Germany

Fähigkeiten und Kenntnisse

internationale Berufserfahrungen
Sprachkenntnisse
langjährige Erfahrung in Forschung & Entwicklung
Projektmanagement Erfahrungen mit Metallen und ih
Mikro- und Nanotechnologiewissen
Technologie
Engineering
Prozessentwicklung
Englische Sprache
Kristallographie
Teamfähigkeit
Strukturierte Arbeitsweise

Werdegang

Berufserfahrung von Bernd Hintze

  • Current 4 years and 6 months, since Jan 2022

    Consultant

    Bernd Hintze

    mikroelektronische Anwendungen

  • 3 years and 6 months, Jul 2018 - Dec 2021

    Head of Technology Park Silicon-based Technologies

    Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland
  • 7 years and 7 months, Dec 2010 - Jun 2018

    Process Integration BEOL

    Globalfoundries
  • 1 year and 10 months, Feb 2009 - Nov 2010

    Technologe - Staff Engineer

    Q - Cells

    Staff Engineer

  • 2 years and 10 months, May 2006 - Feb 2009

    Process Engineer (Staff Engineer)

    Qimonda

    Spezialist für Abscheideverfahren CVD und ALD von Metallen, Verbundkoordinator von öffentlich geförderten Projekten,

  • 6 years and 2 months, Apr 2000 - May 2006

    System Experte - Senior Engineer

    Infineon

    Produktionsplanung,

  • 5 years and 11 months, May 1994 - Mar 2000

    Lead Engineer

    Applied Materials

    Customer Engineer, Lead Engineer im Bereich Metallization, Lead Engineer für 300mm Pilotlinie

  • 8 years and 8 months, Sep 1985 - Apr 1994

    wissenschaftlicher Mitarbeiter, Leiter einer Arbeitsgruppe

    TU Chemnitz

    wissenschaftlicher Mitarbeiter für Abscheideprozesse, Projektmitarbeiter in BMFT Projekten, Spezialisierung auf Metall CVD

  • 3 years, Sep 1982 - Aug 1985

    wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Elektronikwerkstoffe Freiberg (Vorm. Spurenmetalle)

    wissenschaftlicher Mitarbeiter für mechanische Kristallbearbeitung von Si und GaAs,GaP,InP

Ausbildung von Bernd Hintze

  • 4 years and 11 months, Sep 1977 - Jul 1982

    Kristallographie

    Uni Leipzig

    chemisch-physikalische Kristallographie, Mineralogie, Diplomthema: Thermische Ausdehnung von ternären Verbindungshalbleitern CuInSe/CuInTe bei tiefen Temperaturen

Sprachen

  • German

    C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)

  • English

    C1 (Fließend)

  • French

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