
Bernd Hintze
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Bernd Hintze
- Bis heute 3 Jahre und 7 Monate, seit Jan. 2022
Consultant
Bernd Hintze
mikroelektronische Anwendungen
- 3 Jahre und 6 Monate, Juli 2018 - Dez. 2021Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland
Head of Technology Park Silicon-based Technologies
- 1 Jahr und 10 Monate, Feb. 2009 - Nov. 2010
Technologe - Staff Engineer
Q - Cells
Staff Engineer
- 2 Jahre und 10 Monate, Mai 2006 - Feb. 2009
Process Engineer (Staff Engineer)
Qimonda
Spezialist für Abscheideverfahren CVD und ALD von Metallen, Verbundkoordinator von öffentlich geförderten Projekten,
- 6 Jahre und 2 Monate, Apr. 2000 - Mai 2006
System Experte - Senior Engineer
Infineon
Produktionsplanung,
- 5 Jahre und 11 Monate, Mai 1994 - März 2000
Lead Engineer
Applied Materials
Customer Engineer, Lead Engineer im Bereich Metallization, Lead Engineer für 300mm Pilotlinie
- 8 Jahre und 8 Monate, Sep. 1985 - Apr. 1994TU Chemnitz
wissenschaftlicher Mitarbeiter, Leiter einer Arbeitsgruppe
wissenschaftlicher Mitarbeiter für Abscheideprozesse, Projektmitarbeiter in BMFT Projekten, Spezialisierung auf Metall CVD
- 3 Jahre, Sep. 1982 - Aug. 1985
wissenschaftlicher Mitarbeiter
Elektronikwerkstoffe Freiberg (Vorm. Spurenmetalle)
wissenschaftlicher Mitarbeiter für mechanische Kristallbearbeitung von Si und GaAs,GaP,InP
Ausbildung von Bernd Hintze
- 4 Jahre und 11 Monate, Sep. 1977 - Juli 1982
Kristallographie
Uni Leipzig
chemisch-physikalische Kristallographie, Mineralogie, Diplomthema: Thermische Ausdehnung von ternären Verbindungshalbleitern CuInSe/CuInTe bei tiefen Temperaturen
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Englisch
Fließend
Französisch
-
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