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Bernd Hintze

ist offen für Projekte. 🔎

Freiberuflich, Consultant, Bernd Hintze
01465 Langebrück, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

internationale Berufserfahrungen
Sprachkenntnisse
langjährige Erfahrung in Forschung & Entwicklung
Projektmanagement Erfahrungen mit Metallen und ih
Mikro- und Nanotechnologiewissen
Technologie
Engineering
Prozessentwicklung
Englische Sprache
Kristallographie
Teamfähigkeit
Strukturierte Arbeitsweise

Werdegang

Berufserfahrung von Bernd Hintze

  • Bis heute 3 Jahre und 7 Monate, seit Jan. 2022

    Consultant

    Bernd Hintze

    mikroelektronische Anwendungen

  • 3 Jahre und 6 Monate, Juli 2018 - Dez. 2021

    Head of Technology Park Silicon-based Technologies

    Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland
  • 7 Jahre und 7 Monate, Dez. 2010 - Juni 2018

    Process Integration BEOL

    Globalfoundries
  • 1 Jahr und 10 Monate, Feb. 2009 - Nov. 2010

    Technologe - Staff Engineer

    Q - Cells

    Staff Engineer

  • 2 Jahre und 10 Monate, Mai 2006 - Feb. 2009

    Process Engineer (Staff Engineer)

    Qimonda

    Spezialist für Abscheideverfahren CVD und ALD von Metallen, Verbundkoordinator von öffentlich geförderten Projekten,

  • 6 Jahre und 2 Monate, Apr. 2000 - Mai 2006

    System Experte - Senior Engineer

    Infineon

    Produktionsplanung,

  • 5 Jahre und 11 Monate, Mai 1994 - März 2000

    Lead Engineer

    Applied Materials

    Customer Engineer, Lead Engineer im Bereich Metallization, Lead Engineer für 300mm Pilotlinie

  • 8 Jahre und 8 Monate, Sep. 1985 - Apr. 1994

    wissenschaftlicher Mitarbeiter, Leiter einer Arbeitsgruppe

    TU Chemnitz

    wissenschaftlicher Mitarbeiter für Abscheideprozesse, Projektmitarbeiter in BMFT Projekten, Spezialisierung auf Metall CVD

  • 3 Jahre, Sep. 1982 - Aug. 1985

    wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Elektronikwerkstoffe Freiberg (Vorm. Spurenmetalle)

    wissenschaftlicher Mitarbeiter für mechanische Kristallbearbeitung von Si und GaAs,GaP,InP

Ausbildung von Bernd Hintze

  • 4 Jahre und 11 Monate, Sep. 1977 - Juli 1982

    Kristallographie

    Uni Leipzig

    chemisch-physikalische Kristallographie, Mineralogie, Diplomthema: Thermische Ausdehnung von ternären Verbindungshalbleitern CuInSe/CuInTe bei tiefen Temperaturen

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

  • Französisch

    -

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