Dr. Julian Stöver
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Julian Stöver
- Bis heute 3 Jahre und 3 Monate, seit Apr. 2022Vishay Siliconix Itzehoe GmbH
Staff Process Engineer Epitaxy
- 3 Jahre und 10 Monate, Apr. 2017 - Jan. 2021
Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Institut für Kristallzüchtung
Elektrische Charakterisierung an oxiden Halbleitern
- 2 Jahre und 3 Monate, Jan. 2015 - März 2017
Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Wroclaw Research Center EIT+
- 6 Monate, Jan. 2015 - Juni 2015
Gastwissenschaftler
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Epitaxie von Galliumnitrid Hochleistungstransistoren
Masterarbeit am Institut für Festkörperphysik an der Uni Bremen im Bereich Halbleiterepitaxie. Inhalt der Arbeit ist das Wachstum von GaN Nanosäulen mit Metall-organischer Dampfphasenepitaxie und Molekularstrahlepitaxie.
Bachelorarbeit im Institut für Festkörperphysik an der Universität Bremen in der Arbeitsgruppe Halbleiter Optik (Prof. Gutowski). Thema der Arbeit: "Räumliche Pulsformung von fs-Lasernpulsen zur Herstellung von black silicon."
Ausbildung von Julian Stöver
- Bis heute 8 Jahre und 3 Monate, seit Apr. 2017
Physik
Humboldt-Universität zu Berlin
Oxide, Halbleiter, elektrische Charakterisierung
- 2 Jahre und 4 Monate, Okt. 2011 - Jan. 2014
Physik
Universität Bremen
Festkörperphysik, Epitaxie, Optik, Astrophysik
- 3 Jahre, Okt. 2008 - Sep. 2011
Physik
Universität Bremen
Festkörperphysik, Halbleiter Optik
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Englisch
Fließend
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