Dr. Karen Teichmann
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Karen Teichmann
- 5 Jahre und 6 Monate, Mai 2012 - Okt. 2017
Elternzeit
Zwei Kinder
- 4 Jahre und 7 Monate, Okt. 2007 - Apr. 2012
Doktorandin Physik
Universität Göttingen
selbständiges Arbeiten an Rastertunnelmikroskop und Rasterkraftmikroskop --- Optimierung und Weiterentwicklung von Labor-Großgeräten (Ultrahochvakuum) --- Chemisches Dünnen, Metallisierung und Kontaktierung von GaAs --- Datenanalyse, elektrostatische Simulationen (MATLAB, Comsol) --- Präsentationen von Forschungsergebnissen (intern und extern) --- Nationale und internationale Forschungskooperationen --- Einarbeitung von Diplomstudenten
Ausbildung von Karen Teichmann
- 4 Jahre und 7 Monate, Okt. 2007 - Apr. 2012
Physik
Universität Göttingen
Halbleiterphysik, Festkörperphysik, Rastertunnelspektroskopie an Silizium Donatoren in GaAs, GaAs/AlAs Heterostrukturen, AlAs Quantendots, Resonante Tunneldiode, elektrostatische Simulationen,
- 6 Jahre, Okt. 2001 - Sep. 2007
Physik
Universität Göttingen
Halbleiterphysik, Festkörperphysik, Rastertunnelspektroskopie, Ladungszustand einzelner Dotieratome
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Englisch
Fließend
Französisch
Grundlagen
Schwedisch
Grundlagen
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