Pierre Denis

Entwicklung neuer GaN-HEMT-Technologien für RF-Anwendungen Projektleitung für verschiedene Prozessmodule wie das Transistor-Gate und die Kondensatoren DOE-Planung und Definition von Prozessschritten für die Halbleiter-Waferbearbeitung in IT-Systemen Auswertung und Korrelation von Prozessdaten mit elektrischen Messdaten (JMP) Bewertung der Zuverlässigkeit der Transistoren und Kondensatoren Dokumentation der Entwicklungsarbeit und der Ergebnisse Regelmäßige Präsentation der Ergebnisse in Teammeetings

“Strukturierung und Optimierung von amorphen Legierungen” o Starke plastische Verformung (Hochdruck-Torsion) von amorphen Legierungen, um die Zähigkeit des Materials zu verbessern o Abscheidung von amorphen Metallen mit DC Magnetronsputtern o Kontrolle der Mikrostruktur der Filme durch die Veränderung der Bedingungen in der Magnetronsputterkammer (Temperatur, Druck, Zeit, Leistung, Rauheit des Substrats)

“ Verbesserung des Kontakts zwischen einer Metall-Anode und einem Keramik-Elektrolyt ” o XPS, SEM und Profilometermessungen auf metallische und keramische Oberflächen o Die ionische Leitfähigkeit in der Zwischenschicht mit EIS Messungen untersuchen

“ Durchführung von Prüfungen an Photovoltaik Modulen in Anlehnung an die Norme IEC 61215”

metallische Werkstoffe, Dünnschichttechnologie

Metallurgie, Kunstoff, Halbleiter, Keramik, Korrosion