Dr. Tim Böttcher
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Werdegang
Berufserfahrung von Tim Böttcher
- Current 18 years and 1 month, since May 2008
Senior Development Engineer, System Architect
NXP Semiconductors
- 3 years and 5 months, Jan 2005 - May 2008
Experienced Development Engineer
NXP Semiconductors
- 1 year and 1 month, Jan 2004 - Jan 2005
Development Engineer
NXP Semiconductors
- 1 year and 10 months, Apr 2002 - Jan 2004
Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Universät Bremen, Institut für Festkörperphysik
Herstellung von Halbleiterlasern auf GaN Basis
Bühnenbauer und Eventsupport
Freiberuflich
Ausbildung von Tim Böttcher
- 1998 - 2002
Festkörperphysik
Universität Bremen, Deutschland;
Epitaxie von Halbleitern, Design und Herstellung von Laserdioden, GaN und dazugehörige Verbindungshalbleiter, Strukturanalyse, nicht-destruktive Analyse
- 1995 - 1996
Festkörperphysik
University of Maryland at College Park
Superleiter, magnetoresistive Materialien, Epitaxie, PLD,
Sprachen
German
C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)
English
C1 (Fließend)
French
A1-A2 (Grundkenntnisse)
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