Dr. Albrecht Kieslich
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Albrecht Kieslich
- Current 7 years and 8 months, since Oct 2018
Head of Process Integration
Robert Bosch Semiconductor Manufacturing Dresden GmbH
- 2 years and 2 months, Aug 2016 - Sep 2018
Director
OSRAM Opto Semiconductors
HoD: Frontend Technology (Lithography, Mask Design, Wet Chemestry, Electro Plating, CMP and Carrier Technology)
- 5 years and 8 months, Jan 2011 - Aug 2016
Senior Manager
OSRAM Opto Semiconductors
Process Engineering (R&D) Lithography, CVD, RIE, Wet Chemestry, mask design
- 1 year and 6 months, Aug 2009 - Jan 2011
Section Head A380 S13 Electrical Systems
Labinal GmbH
- 2 years and 11 months, Jun 2006 - Apr 2009
Director
Qimonda
Personalverantwortung, Verantwortung für Projektmanagement und Entwicklungsmethodik, Technologie- und Produktentwicklung Halbleiter, Projektleitung: Effizienzsteigerung in Entwicklung und Produktionseinführung mit externer Unternehmensberaterfirma. Lean R&D,
- 2 years and 9 months, Oct 2003 - Jun 2006
Head of Process Integration
Infineon
Personalverantwortung, Leitung von internationalen Entwicklungsteams, Vertreter der Technologieentwicklung in internen und externen Audits (e.g. ISO/QS).
- 7 years and 2 months, Sep 1996 - Oct 2003
Project Leader
Siemens Microelectronics
Projektleiter für kundenspezifische Speicherentwicklung, Resourcenmanagement, Planung, Kundenkontakt
- 2 years and 9 months, Jan 1994 - Sep 1996
Development Engineer
Siemens HL
Prozessentwicklung in der Halbleitertechnologie, Produkteinfühung in die Volumenproduktion, Technologietransfer
Head of Process Integration
Bosch Semiconductor Manufacturing
Ausbildung von Albrecht Kieslich
- 4 years and 7 months, Jan 1991 - Jul 1995
Physik
Universität Würzburg
Fokussierte Ionenstrahlung, Implantationsinduzierte Defektdichte in Verbindungshalbleitern, Nanostrukturierung für optoelektronische Bauelement
- 6 years and 3 months, Oct 1984 - Dec 1990
Physik
Universität Würzburg
Mikrowellenausbreitung in Hohlleitern, Störungsfreie Messung elektrischer Eigenschaften von Verbindungshalbleitern.
Sprachen
German
C2 (Verhandlungssicher / Muttersprachlich)
English
C1 (Fließend)
French
A1-A2 (Grundkenntnisse)
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