Dr. Christoph Brüsewitz
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Christoph Brüsewitz
- Bis heute 9 Jahre und 6 Monate, seit Feb. 2016
Spezialist Schadensanalyse Elektronik
Continental Teves AG & Co. oHG, Frankfurt
- 3 Jahre und 4 Monate, Feb. 2012 - Mai 2015
Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Universität Göttingen
Wissenschaftlicher Mitarbeiter am II. Physikalischen Institut Koordination und Durchführung des DFG-Projektes HO 1125/19-2 Ansprechpartner internationaler Kollaborationspartner Materialanalyse in externen und internen Projekten Vorlesungsassistenz und Praktikabetreuung Strahlenschutzbeauftragter Geräteverantwortlicher XRD
- 2 Monate, Sep. 2012 - Okt. 2012
Gastwissenschaftler
Drexel University, Philadelphia, USA
Forschung im Bereich der MAX-Phasen-Synthese am Department of Materials Science and Engineering
- 7 Monate, März 2011 - Sep. 2011
Studentische Hilfskraft
Universität Göttingen
Betreuung des Physik-Anfängerpraktikums
- 9 Monate, Apr. 2010 - Dez. 2010
Studentische Hilfskraft
Universität Göttingen
Betreuung des Physik-Anfängerpraktikums
- 6 Monate, Okt. 2009 - März 2010
Wissenschaftliche Hilfskraft
Universität Göttingen
Forschung im Bereich Detektorentwicklung am II. Physikalischen Institut
- 1 Monat, Aug. 2008 - Aug. 2008
Werksstudent
Merck KGaA, Darmstadt, Germany
Distribution
- 1 Monat, Aug. 2007 - Aug. 2007
Werksstudent
Merck KGaA, Darmstadt, Germany
Distribution
- 2 Monate, Juli 2006 - Aug. 2006
Werksstudent
Merck KGaA, Darmstadt, Germany
Distribution
- 9 Monate, Sep. 2005 - Mai 2006
Zivildienst
Heilpädagogisches Kindertagesheim Groß-Umstadt
Fahrdienst, Einkauf und Betreuung
Ausbildung von Christoph Brüsewitz
- 3 Jahre und 7 Monate, Apr. 2012 - Okt. 2015
Physik
Universität Göttingen
Materialphysik, Computerphysik: Elektrische Quadrupolwechselwirkung in defektreichen und deformierten MAX-Phasen; Gesamtnote: summa cum laude
- 2 Jahre und 2 Monate, Okt. 2009 - Nov. 2011
Physik
Universität Göttingen
Festkörper- und Materialphysik: Mechanische Eigenschaften ausgewählter MAX-Phasen - untersucht mittels nanomechanischer Tests und PAC-Messungen; Gesamtnote: sehr gut (1,1)
- 3 Jahre, Okt. 2006 - Sep. 2009
Physik
Universität Göttingen
Kern- und Teilchenphysik: Elektrolumineszenz und elektrische Charakterisierung von AlN/SiC-Heterostrukturen; Gesamtnote: gut (1,7)
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Englisch
Fließend
Französisch
Grundlagen
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