Christoph Günther

• Quantitative optische Charakterisierung der optischen Konstanten von 4H-SiC Einkristallen • Quantitative optische Charakterisierung der Dotiergrade von 4H-SiC Einkristallen • Korrelation der Ergebnisse für die Prozessentwicklung • Entwicklung und Implementierung eines Schadmodels für die Laserbearbeitung von 4H-SiC Einkristallen • Experimentelle Verifikation des Models • Kooperationsarbeit zwischen der Professur Halbleiterphysik an der Technischen Universität Chemnitz und der Siltectra GmbH

• Betreuung von Studenten im Grundpraktikum zum Versuch Röntgenbeugung • Bewertung der absolvierten Testate und Protokolle

• Optische Charakterisierung von Materialinhomogenitäten in dotierten 4H-SiC Einkristallen • Spektroskopische Ellipsometrie • Raman Spektroskopie

• Optische Charakterisierung von Metal Organic Frameworks im VUV-Bereich • Messung an derEllipsometry Beamline der Metrology-Light Source der Physikalisch technischen Bundesanstallt Berlin Adlershof • Spektroskopische Ellipsometrie

• Optische Charakterisierung von Gallium Oxid Einkristallen • Spektroskopische Ellipsometrie • Raman Spektroskopie

• Festkörperphysik • Halbleiterphysik • optische Charakterisierung Master Arbeit: • Optische Charakterisierung von Dotierinhomogenitäten und laserinduzierten Schadstellen in SiC-Einkristallen • Kooperationsarbeit mit der Siltectra GmbH Dresden

• Festkörperphysik • Halbleiterphysik • optische Charakterisierung Bachelor Arbeit: • Optische Charakterisierung von Gruppe VIb Übergangsmetall Dichalcogeniden (MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoWS2, MoWSe2) • Raman Spektroskopie und spektroskopische Ellipsometrie