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Dr. Reinhard Gabl

Angestellt, Director New Technology Programs, Silicon Valley Innovation Center, Infineon Technologies North America Corp.
Milpitas, Vereinigte Staaten

Fähigkeiten und Kenntnisse

R&D-Leitung
Automotive - Industrie - Telekommunikation
Halbleiter - Elektrokeramik - Sensoren - Optische
Strategische Planung
Produktmanagement & Technisches Marketing
Innovation Management
Fertigung & Qualität
Elektronische Komponenten
Forschung
Mechatronik
Modelling

Werdegang

Berufserfahrung von Reinhard Gabl

  • Bis heute

    Director New Technology Programs, Silicon Valley Innovation Center

    Infineon Technologies North America Corp.

  • 1 Jahr und 7 Monate, Okt. 2016 - Apr. 2018

    Director Technology Programs

    Infineon Technologies North America Corp.

  • 2 Jahre, Okt. 2014 - Sep. 2016

    Head of Innovation Management, Power & Multimarket Division

    Infineon AG

  • 2 Jahre und 7 Monate, März 2012 - Sep. 2014

    Head of R&D Protection Devices

    Infineon AG

  • 2005 - 2012

    Director Product Development Piezo Technology

    EPCOS , Deutschlandsberg

    Entwicklung von Piezoaktuatoren für Kraftstoffeinspritzung und Piezomotoren für Automotive, Kommunikation, Industrie.

  • 2001 - 2005

    Kompetenzfeldleiter Materials and Microsystems

    SIEMENS Corporate Technology, München

    Definition und Umsetzung von F&E- Projekten für MEMS-Sensoren, BAWs, MEMS-Bio- und Gassensoren. Initiierung nationaler und europäischer Forschungsprojekte.

  • 1999 - 2001

    Fachabteilungsleiter, Entwicklungsingenieur

    Infineon Technologie München

    Entwicklung & Concept Engineering für PIN-, Varaktor- & Schottkydioden, MOS-Tetroden, Si- & SiGe-Hochfrequenztransistoren, Si-Innovationsthemen

  • 1996 - 1999

    Doktorand/ Freier Mitarbeiter

    SIEMENS Zentralabteilung Technik München

    Modellierung und Technologienetwicklung Si- und SiGe-Hochfrequenztransistoren

Ausbildung von Reinhard Gabl

  • 1 Jahr und 1 Monat, Okt. 2002 - Okt. 2003

    Lehrgang General Management

    MCI Innsbruck

  • 2 Jahre und 6 Monate, Sep. 1996 - Feb. 1999

    Angewandte Physik

    Uni Innsbruck in Koop. mit SIEMENS München

    Modellierung und Technologienentwicklung für SiGe Hochfrequenztransistoren

  • 5 Jahre, Okt. 1990 - Sep. 1995

    Physik

    Uni Innsbruck

    Bau eines modenverkoppelten Ti-Saphir Lasers für Pulse <15fs

  • 1985 - 1990

    Nachrichtentechnik und Elektronik

    HTL Innsbruck

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

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