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Dr. Sebastian Esser

Angestellt, Wissenschaftlicher Mitarbeiter, ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology
Tokio, Japan

Fähigkeiten und Kenntnisse

Dünnschichttechnologie
Röntgenstrukturanalyse
Elektronik
Tieftemperaturtechnik
Origin (Software)
Python
LabVIEW
Analytisches Denken
strukturierte Arbeitsweise
Einsatzbereitschaft
Lernbereitschaft
Chemische Gasphasenabscheidung
Sputtern
Teamfähigkeit
Flexibilität
Zuverlässigkeit
Zielstrebigkeit
Belastbarkeit
Begeisterungsfähigkeit
Organisationstalent
C/C++
Forschung und Entwicklung
Physik
Genauigkeit

Werdegang

Berufserfahrung von Sebastian Esser

  • Bis heute 7 Monate, seit Nov. 2024

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology

  • 2 Jahre, Nov. 2022 - Okt. 2024

    Wissenschaftler

    The University of Tokyo

  • 2 Jahre und 3 Monate, Sep. 2020 - Nov. 2022

    Projektleiter

    IAV GmbH

  • 4 Jahre und 9 Monate, März 2018 - Nov. 2022

    Entwicklungsingenieur

    IAV GmbH

  • 4 Jahre, März 2014 - Feb. 2018

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter

    Universität Augsburg

    Wissenschaftlicher Mitarbeiter, Lehrstuhl für Experimentalphysik VI. Synthese neuartiger stark korrelierter oxidischer Dünnfilme und Untersuchung des Einflusses epitaktischer Verspannungen auf die elektronische Struktur sowie die dadurch induzierten strukturellen Änderungen. Betreuung von Übungsgruppen und Praktikumsversuchen für das Hauptfach.

  • 1 Jahr und 6 Monate, Sep. 2012 - Feb. 2014

    Studentische Hilfskraft

    Georg-August-Universität Göttingen

    Betreuung diverser Übungsgruppen für Nebenfachstudierende

  • 9 Monate, Aug. 2007 - Apr. 2008

    Zivildienstleistender

    Allgemeiner Rettungsverband Nds-Süd e.V.

    Eingesetzt im kombinierten Fahrdienst (Schüler und Behinderten Transporte, Beförderungsdienste und Essen auf Rädern)

Ausbildung von Sebastian Esser

  • 4 Jahre, März 2014 - Feb. 2018

    Physik

    Universität Augsburg

    Synthese neuartiger stark korrelierter oxidischer Dünnfilme und Untersuchung des Einflusses epitaktischer Verspannungen auf die elektronische Struktur sowie die dadurch induzierten strukturellen Änderungen.

  • 2 Jahre und 5 Monate, Okt. 2011 - Feb. 2014

    Physik

    Georg-August-Universität Göttingen

    Synthese neuartiger stark korrelierter oxidischer Dünnfilme und Untersuchung der elektrischen Transporteigenschaften dieser bis zu tiefsten Temperaturen (mK-Bereich) und höchsten magnetischen Feldern.

  • 3 Jahre, Okt. 2008 - Sep. 2011

    Physik

    Georg-August-Universität Göttingen

    Synthese neuartiger stark korrelierter oxidischer Dünnfilme und Untersuchung der Mikrostruktur dieser.

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

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