Dr. Tim David Germann

Leitung der MOCVD Halbleiter-Produktion.

Forschungsverantwortung für nationale und internationale Projekte als hauptverantwortlicher wissenschaftlicher Mitarbeiter des Projekts A2 des SFB 787. Leitende Tätigkeit insbesondere für die Organisation und Durchführung von Forschungsarbeiten auf den Gebieten der Präzisionsfertigung, der Charakterisierung und des Designs von optoelektronischen Bauelementen. Konzeption und Organisation der Entwicklung einer Proben- und Forschungsdatenbank. Autor zahlreicher Veröffentlichungen und mehrerer Patente.

Anstellung mit dem Ziel der Promotion und zur Durchführung von Forschungsaufgaben im Bereich elektro-optischer Halbleiterbauelemente. Forschungsschwerpunkt: Gasphasenepitaxie von III-V Halbleitern unter Verwendung einer Vielzahl von optischen, mikroskopischen und elektrischen Charakterisierungsmethoden zur Fehleranalyse und Prozessoptimierung.

Erfolgreiche Begleitung der Begutachtungs- und Start-Phase des Sonderforschungsbereichs (SFB) 787 – Halbleiter-Nanophotonik bestehend aus über 120 Wissenschaftlern aus drei Universitäten und vier außeruniversitären Forschungseinrichtungen, sowie Kooperationen mit zahlreichen Industriepartnern.

Design and realization of novel GaAs based laser concepts

Diplomarbeit: Quantenpunktstrukturen mittels Alternativ-Precursor-MOCVD für kohärente Lichtemitter Herstellung von hocheffizienten Laserstrukturen auf Basis neuartiger Halbleiterstrukturen mittels Gasphasenepitaxie

Diplomprüfungen - Experimental Physik: Festkörper-/Halbleiterphysik und Kern- und Teilchenphysik Theoretische Physik: Höhere Quantentheorie, Elektrodynamik und Statistische Physik

Optimierungsstrategien und Evolutionsstrategie, Angewandte Physik, Theoretische Physik der Elektrodynamik und Optik

Atomphysik, Schwedisch

Angewandte Physik und Halbleitertechnologie, zusätzliche Nebenfächer: Chemie, Informatik, Volkswirtschaftslehre