Dr. Ashish Rai
Fähigkeiten und Kenntnisse
Werdegang
Berufserfahrung von Ashish Rai
Micro LED development based on AsP material
- 2 years and 9 months, Oct 2015 - Jun 2018
Senior Epitaxy Engineer
Crystalline Mirror Solutions GmbH
Senior Epitaxy Engineer
Product quality and advanced process support for III-V semiconductor (GaN based materials) for LED development
- 10 months, Apr 2013 - Jan 2014
Postdoctoral Research Associate
TUE
Epitaxial Growth of III-V semiconductor on MOCVD tool for the development of laser diode for emission wavelength 2.5 μm range based on InP materials. I was responsible for the epitaxial growth and the charaterization of the epi-layers using XRD, AFM and PL.
Ausbildung von Ashish Rai
- 5 years and 1 month, Mar 2008 - Mar 2013
Semiconductor Physics
Ruhr-Universität Bochum
Different kind heterostructure growth using MBE (RIBER) for III-arsenide materials Device fabrication using UV lithography technique, ion beam implantation Characterization of the optoelectronic devices
- 2 years, Jul 2005 - Jun 2007
Physics
IITD
Physics
Sprachen
English
C1 (Fließend)
German
A1-A2 (Grundkenntnisse)
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